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在电子线路中通常采用浪涌抑制器件来对电路进行保护，常见的几种浪涌抑制器件有：气体放电管GDT、金属氧化物压敏电阻MOV、瞬态抑制二极管TVS和半导体放电管TSS。浪拓电子作为专业的浪涌防护厂商，为大家总结了这几种常见浪涌抑制器件的优劣势对比，方便大家选择合适浪涌抑制保护器件：

· GDT气体放电管的优点包括浪涌电流额定值很高，其耐冲击峰值电流可高达20kA，电容额定值低至 1.5pF。它们通常用于一次保护，这是因为它们的浪涌额定值很高，但是它们对高频元件的干扰度较低，由此可用于高速数据链路。但是，对于信号口应用来说它们也有一些缺点，包括初始电压阈值过高（这意味着在发生超过系统正常工作电压的电涌时，它们可能无法在足够低的阈值下激活以保护电路），响应速度慢，占用空间相对较大。

· 瞬态电压抑制（TVS）二极管是可提供低电压阈值导通值的箝位型元件。然而，由于其箝位特性，它们会耗散更高的功率水平，因此必须加大尺寸，以实现类似于晶闸管箝位元件的浪涌额定值。这种尺寸较大的硅封装可产生可能与高带宽信号不兼容的较高断态电容值。

· 半导体放电管是一种PNPN元件，可以被认为是没有栅极的晶闸管。当它超过峰值断态电压(VDRM)时，它会将瞬态电压箝位在器件的开关电压(VS)额定值内。然后，一旦流经它的电流超过其开关电流，它就会快速切断并模拟短路状况。而流经它的电流小于其载流(IH)时，它将复位并恢复到其高断态阻抗。半导体放电管优点包括响应时间快速、电气特性稳定、长期可靠性和电容较低。而且由于它们是开关型保护器，不会因电压造成损坏。

浪涌保护电路

一个完整的电子设备浪涌防护系统一般由二级或三级防护电路组成，利用各种浪涌抑制器件的特点，可以实现可靠保护。常见的浪涌防护系统采用气体放电管、压敏电阻和瞬态抑制二极管，再配合一些电阻、电感器件，实现对设备的可靠保护。