IS62WV51216EBLL是高速8M位sram,组织为512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。
当CS1为高电平(取消选择)或CS2为低电平(取消选择)或CS1为低电平时,CS2为高电平且LB和UB均为高电平时,器件将进入待机模式,在该模式下可以通过CMOS输入降低功耗水平。
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许高字节(UB)和低字节(LB)访问。
IS62WV51216EBLL封装在JEDEC标准的48引脚微型BGA(6mmx8mm),44引脚TSOP(II型)和48引脚TSOP(I型)中。
512Kx16低压超低功耗sram主要特征
•高速访问时间:45ns,55ns
•CMOS低功耗运行
–36mW(典型值)运行
•TTL兼容接口级别
•单电源
–1.65V–2.2VVDD(62/65WV51216EALL)
–2.2V--3.6VVDD(62/65WV51216EBLL)
•高低字节数据控制
•汽车温度(-40oC至+125oC)
异步SRAM广泛的解决方案
-提供x8,x16和x32配置
-5V/3.3V/1.8VVDD电源
-商业,工业和汽车温度(-40°C至125°C)支持
-BGA,SOJ,SOP,sTSOP,提供TSOP软件包
•ECC功能可用于高速异步SRAM
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ISSI代理stm32扩展sram芯片IS62WV51216EBLL

关键词: stm32 IS62WV51216EBLL ISS
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