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常见的静电模型有：人体模型（HBM）、机械模型（MM）、充电模型（CM）。芯片级一般用HBM做测试，而电子产品则用IEC61000-4-2的放电模型做测试。电子产品必须符合这一标准之后方能销往欧共体的各个成员国。因此，大多数生产厂家都把IEC 61000-4-2看作是 ESD测试的事实标准。我国的国家标准（GB/T 17626.2-1998）等同于IEC61000-4-2。大多数实验室用的静电发生器就是按IEC61000-4-2的标准，分为接触放电和空气放电。

常用的静电放电抑制器件有齐纳二极管，聚合物抑制器，片式压敏电阻，TVS二极管等。如图：

1.1、齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） ：利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例如 500MHz）而言，会引起信号畸变。

1.2、聚合物静电抑制器：静电抑制器外部由Polymer聚合物材料制成，内部菱形的高电分子以规则的点阵离散状排列，当静电电压超过Polymer的触发电压时，内部分子迅速产生尖端对尖端的放电，将静电在瞬间泄放到地。

1.3、多层金属氧化物结构器件 (MLV)：一般称为片式压敏电阻。MLV也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压 - 电流 ( 阻抗表现 ) 关系，截止电压可达最初中止电压的 2 ～ 3倍。这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的静电或浪涌保护，如电源回路，按键输入端等。

1.4、瞬变电压消除器 TVS(Transient Voltage Suppressor)：TVS 是一种固态二极管，专门用于防止 ESD 瞬态电压破坏敏感的半导体器件。与传统的齐纳二极管相比， TVS 二极管 P/N 结面积更大，这一结构上的改进使 TVS 具有更强的高压承受能力，同时也降低了电压截止率，因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。

TVS二极管的瞬态功率和瞬态电流性能与结的面积成正比。该二极管的结具有较大的截面积，可以处理闪电和 ESD所引起的高瞬态电流。TVS也会有结电容，通常0.3pF到几十个pF。

✦ 应用案例