EEPW论坛

导读：开关电源的使用日益普及，电视机、机顶盒和录像机均采用这种方式供电，移动电话充电器、PDA（个人数字助理），甚至一些电动牙刷都采用开关电源。本文对一种简化的离线式开关电源进行研究，以便为之后的设计带来借鉴作用。

1 开关电源的原理介绍
开关电源电路有许多种，但常见的是反激式转换器，其原理如图1所示，电源输入首先经过整流，然后滤波，接下来经过变压器和初级开关，以及初级控制器；这个控制器根据反馈信号来改变开关的占空比，反馈信号是由次级反馈而来。

尽管可采用电感器，但所示设计采用的是未隔离的变压器。隔离设计在离线设备中更为常见，在离线设备中，变压器具有隔离作用，可方便地实现占空比调整。反激式开关电源可在非连续导通和连续导通两种模式下工作，不连续导通模式如图2所示。Ilm和Vlm是变压器磁化电感通过的电流和施加的电压。

当开关闭合时，电压施加在变压器初级的两端，因为此时次级二极管是截止的，变压器所起的作用就像电感器。经过初级线圈的电流会上升，同时能量储存在磁通量中。当开关断开时，次级二极管导通，电流通过次级时会下降，因为能量被转换至次边大容量电容器。如果电流经过磁化电感区后降至零，这是不连续导通模式。如果磁化电流未降至零，如图3所示，则系统以连续导通模式工作。

两种模式各有其优缺点，可根据设计要求进行选择。可以挑选大负载的连续模式设计，或选择小负载的非连续模式设计。有电压和电流两种控制模式，在电压模式中，次边电压被反馈，直接控制工作循环；而在电流模式中，次边电压被反馈，控制的开关电流，即控制IC的PWM部分使开关闭合，当电流达到反馈设定的极，开关就断开。

2  控制器的选择
过去，大多数SMPS系统采用分立控制器IC和用场效应晶体管（FET）作为开关，现在可以采用集成控制器，这些集成器件针对各种功率级别和应用进行了优化，通常可分为双芯片式和单芯片式两类。双芯片式包括控制器芯片和MOSFET芯片，而单芯片式仅有一个芯片，一般采用BCDMOS工艺制造。采用 BCDMOS工艺制造高压功率MOSFET器件，它的局限性多于采用优化MOSFET工艺制造的器件。通常，采用BCDMOS工艺制造的芯片的单位面积 RDS（on）值会高出许多。

然而，单芯片解决方案的成本较低，在低功率应用领域具有优势。因此，一般是为高功率应用选择双芯片方案，而为低功率应用选择单芯片方案，高低功率的分界点在15至20W左右，飞兆半导体有提供两种类型的功率开关。

3  应用实例
图4所示为采用KA5M0365R的通用开关模式电源的电路图，KA5M0365R是双芯片器件。电源的输入电压为85~265VAC,开关频率为66kHz,输出为3.3V、1.2A,5V、1.5A,9V、0.5A和33V、0.1A.

内部MOSFET的额定值为3A和650V,但不是简单的MOSFET,而是SenseFET,其源极面积约有1%被隔离出来，形成次感应源极。漏极电流的1%来自感应源极，它流经集成电阻器，便于准确地测量电流值，不存在与外部电流采样电阻器相关的损耗。

自线路输入端开始，首先是一个用于抑制EMI的滤波器，接下来是桥型整流器、NTC电阻器和滤波电容器。NTC电阻器用于避免开关闭合时的电流浪涌。在次接通电源时，FPS以旁路模式工作，吸收极少的电流，Vcc电容器被充电，一旦达到电压锁定阈值15V范围的上限，该器件就开始开关，它的电流需求增加，Vcc电压开始下降。然而，假定Vcc电容器足够大，Vcc电压仍保持在电压锁定阈值范围的较低水平，在正常运作期间，第三线圈开始供电。

缓冲网络（Snubber Network）连接在变压器初级的两端，以确保变压器泄漏电感引起的尖峰信号，不会造成开关漏极电压超过其击穿电压。如果超过击穿电压，器件会发生雪崩，由于它具有一定的雪崩额定值，这样仅仅多消耗一点功率，不需配置昂贵的齐纳缓冲器。

有四个次级线圈提供四路电压输出，通过一个光耦，由431型电压参考器提供反馈信号。 所有的离线式电源必须达到一定的安全标准，图4所示的设计具有良好的保护功能，得益于控制器具有的过载保护、过压保护、过流保护、欠压保护和过热保护特性。