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FM25CL64B-GTR是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上组织为8,192×8位，可使用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。FM25CL64B-GTR与具有相同引脚排列的串行闪存或EEPROM之间的主要区别在于FRAM的优越写入性能，高耐用性和低功耗。

FM25CL64B-GTR是采用高级铁电工艺的64Kb非易失性存储器。铁电存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。

与串行闪存和EEPROM不同，FM25CL64B-GTR以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。FM25CL64B-GTR铁电存储器能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。

这些功能使FM25CL64B-GTR非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。例子包括数据收集（可能是关键的写周期数）到要求苛刻的工业控制，在这些情况下，串行闪存或EEPROM的长写入时间会导致数据丢失。

FM25CL64B-GTR为串行EEPROM或闪存的用户提供了实质性的好处，可以作为硬件的替代产品。FM25CL64B-GTR使用高速SPI总线，从而增强了FRAM技术的高速写入能力。在–40℃至+85℃的工业温度范围内保证器件的规格。

耐力

FM25CL64B-GTR器件至少可以被访问1014次，可以进行读取或写入。FRAM存储器具有读取和还原机制。因此，对于存储阵列的每次访问（读取或写入），将按行施加耐久周期。FRAM体系结构基于1K行（每个64位）的行和列的阵列。一次读取或写入单个字节还是全部八个字节都将在内部访问整行。在耐久性计算中，该行中的每个字节仅被计数一次。一个64字节重复循环的耐久性计算，该循环包括一个操作码，一个起始地址和一个顺序的64字节数据流。这导致每个字节在循环中经历一个耐力周期