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富士通FRAM（铁电RAM）是新一代非易失性存储器，性能优于 E²PROM 和闪存等现有存储器，功耗更低，速度更快和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种应用，包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。
 
■描述
MB85RS128B是一款16,384字×8位配置的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口（SPI）。MB85RS128B能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这是SRAM所需要的。
 
MB85RS128B采用的存储单元可进行10¹²次读写操作，相比Flash存储器和E²PROM支持的读写操作次数有显着提升。MB85RS128B不需要像Flash存储器或E²PROM那样长时间写入数据，并且MB85RS128B不需要等待时间。
 
■特点
•位配置：16,384字×8位
•SPI对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作频率：除READ33MHz(Max)READ命令以外的所有命令25MHz(Max)
•高耐久性：10¹²次/字节
•数据保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超过200年(+35℃)
•工作电源电压：2.7V至3.6V
•低功耗：工作电源电流6mA(Typ@33MHz)待机电流9μA(Typ)
•工作环境温度范围：−40℃至+85℃
•封装：8针塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS
 
■引脚分配
 

 
■串行外设接口(SPI)
富士通铁电存储器MB85RS128B作为SPI的从机工作。使用配备SPI端口的微控制器可以连接2个以上的设备。通过使用没有配备SPI端口的微控制器，SI和SO可以通过总线连接使用。