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深圳爱仕特科技专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案。公司于2017年技术准备，芯片测试、验证、公司成立，18-19年量产1200V和3300V碳化硅单管并出口欧美，2021年与吉利汽车、中科院签署三方合作研发协议（基于SiC技术的动力总成），2022年碳化硅单管批量交货国内多家车企。

公司拥有全自主知识产权，已申请30项专利技术，采用6英寸技术已量产30余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品，并建立起车规级的SiC MOS模块工厂，可为客户提供整套应用解决方案。

ASC5N1700MT3是1700V SiC MOSFET，此款SiC MOSFET最高耐压值为1700V，内阻是750mohm,ASC5N1700MT3采用TO247-3封装。门级电压（动态）为－8V~18V、门级电压（静态）为－3V~12V，功耗为60W，额定电流为5A，工作温度为－55摄氏度～155摄氏度,，能在较宽的温度区间内工作，可满足更多的工作场景。

该SiC MOSFET多用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压DC-DC转换器、工业开关电源等领域。1700V SiC MOSFET适合辅助电源设计，更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求。

更快的开关速度，极小的开关损耗大幅降低了系统损耗，使得变换器高效化，同时可以通过高频化让电路中的磁性单元体积更小，重量更轻。极小的损耗加上更优异的热传导系数。进一步地简化了辅助电源的结构，减少了元器件和驱动设计的复杂度，从而大幅降低了辅助开关电源系统成本。

ASC100N1700是一款1700V的SiC MOSFET，额定电流为100A，可在大功率设备上使用。门级电压为－10V~25V，功耗为420W，可在－55摄氏度到155摄氏度的温度环境下工作，ASC100N1700MT3采用TO-247-3封装，ASC100N1700MT4采用TO247-4封装，此款SiC MOSFET最高耐压值为1700V可应用于太阳能逆变器、电动汽车车载充电器、充电桩、轨道交通、工业电源等高压工作设备。

碳化硅产品手册.pdf