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探讨高输入电压应用时的注意事项

工程师
2022-04-20 18:25:39     打赏

探讨高输入电压应用时的注意事项

对于DC/DC转换器的输入电源来说,通常工业设备的12V总线等几乎是恒定电压,而汽车的电池电压等虽然标称12V,但需要考虑到瞬态波动等因素,设想相当宽范围的电压进行设计。

本文将在此前提到的条件(输入电压12V,最高达60V)下来探讨效率。

在“损耗因素”一文的公式中提到,输入电压的升高能够对效率造成影响的是“开关损耗”。

<随着输入电压 VIN 的升高而增加的损耗因素>

・开关损耗
    开关损耗公式

从公式可以看出,开关损耗随VIN的升高而增加,由于是乘法算式,因此将会造成很大的影响。


table

下面来实际计算一下当VIN为12V和60V时的损耗。

PSWH(12VIN)=0.5×12V×2A×(20 nsec+20 nsec)×1MHz=0.48W
PSWH(60VIN)=0.5×60V×2A×(20 nsec+20 nsec)×1MHz=2.4W

VIN升高了5倍,所以计算后开关损耗也增加了5倍。下图为相对于输入电压的整体损耗变化示意图。基本上开关损耗是主要增加的损耗。

损耗输入电压图

考虑因素及对策

要将输入电压范围扩展为12V~60V,需要对当初选择用于12VIN的MOSFET重新评估包括额定电压(耐压)在内的几项规格。以下汇总了重新评估要点和注意事项。

  • 在使用开关晶体管(MOSFET)外置的控制器IC的案例中,重新评估MOSFET的额定电压(VD)。

  • 开关损耗会增加,因此MOSFET的容许损耗也需要重新评估。

  • 随着MOSFET的变更,探讨采用tr和tf更快且导通电阻和Qg低的产品。

  • 电源规格中,如果能够降低开关频率就将其降低。如果将fSW减半(降至500kHz),则损耗也会减半。

  • 如果是开关晶体管内置型的IC,则需要对IC本身进行评估。

至此仅考虑了损耗方面的因素,其实在涉及更高输入电压时,还有一项考虑因素。虽然并非本文的主题内容,但在现实中是非常重要的,因此在这里提一下。

应该是将最大60VIN降压至5VOUT,但降压比受电源IC的控制参数之一的最小导通时间的限制,故必须对降压比和最小导通时间进行探讨。由于降压比是60:5,按开关频率1MHz进行简单计算的话,需要能够控制周期1µs的1/12、即83.3ns的导通时间的电源IC。然而,现实中最小导通时间83.3ns以下的电源IC并不多。在ROHM的产品中,DB9V100MUFF这款电源IC可以满足该条件,但在多数情况下,很多产品因无法满足最小导通时间要求而被迫降低开关频率。如果降低开关频率,则不仅需要重新确认损耗,其他相关的所有元器件常数等都需要重新确认。但在车载设备中,基本上都要求2MHz以上的开关频率,因此无法通过降低开关频率来解决该问题。

综上所述,在探讨高电压应用时,需要考虑到降压比和损耗增加这两方面的因素。





关键词: 探讨     高输入     电压 应用     注意事项    

工程师
2022-04-20 18:30:51     打赏
2楼

干货


工程师
2022-04-20 18:35:21     打赏
3楼

干货


工程师
2022-04-20 18:38:48     打赏
4楼

学习到了


工程师
2022-04-20 18:41:19     打赏
5楼

谢谢分享


工程师
2022-04-20 18:44:02     打赏
6楼

干货


院士
2022-04-20 21:32:26     打赏
7楼

学习


工程师
2022-04-20 22:42:54     打赏
8楼
学习

高工
2022-04-20 22:42:47     打赏
9楼

总结的还是比较到位的


工程师
2022-04-20 23:16:23     打赏
10楼

感谢分享


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