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EN系列:保持低导通电阻与开关速度,改善噪声性能

工程师
2023-03-13 20:25:30     打赏

超级结MOSFET是与平面MOSFET相比,导通电阻和栅极电荷(Qg)显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性,并已扩展为系列化产品,现已发展到第二代。非常有助于改善包括电源在内的PFC等各种功率转换电路的效率。

低噪声 EN系列

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以往的超级结MOSFET具有导通电阻低、开关速度快的特点,但存在因其高速性而噪声较大的课题。EN系列是结合了平面MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的低导通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第一代标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。


平面MOS、SJ MOS AN Series


噪声比较、A*Ron比较

EN系列因其保持了平面MOSFET的噪声水平、且导通电阻更低,因而是改善平面MOSFET的传导损耗的替代品。A・Ron的比较中,与平面MOSFET相比,以往产品AN系列降低65%,EN系列则降低达80%。

该系列的产品阵容如下。1款机型具有多种封装。

■R60xxENx系列:低噪声

机型名BVDSS(V)ID (A)RDS(on) (Ω)Qg (nC)封装R6002ENxR6004ENxR6007ENxR6009ENxR6011ENxR6015ENxR6020ENxR6024ENxR6030ENxR6035ENxR6047ENxR6076ENx
6001.72.86.5CPT/TO252☆
40.915CPT/TO252☆/LPT/TO220FM
70.5720TO252/LPT/TO220FM
90.523TO252/LPT/TO220FM
110.3432TO252/LPT/TO220FM
150.2640LPT/TO220FM/TO3PF
200.1760LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
240.1570LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
300.11585LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
350.095110TO3PF/TO247
470.07145TO247
760.04260TO247

※机型名最后的x根据封装类型代入相应的字母。
   D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252
※ ☆ : 开发中





关键词: EN     系列     保持 低导通     电阻     开关     速度     改善         

工程师
2023-03-13 20:57:13     打赏
2楼

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工程师
2023-03-13 21:00:07     打赏
3楼

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工程师
2023-03-13 21:04:40     打赏
4楼

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工程师
2023-03-13 21:06:35     打赏
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工程师
2023-03-13 21:09:33     打赏
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高工
2023-03-14 11:36:30     打赏
7楼
EN系列:保持低导通电阻与开关速度,改善噪声性能



高工
2023-03-14 11:37:21     打赏
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