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2023-1-28 18:26 上传

图1. 过压保护的基本电路 　　 增加电路的最大输入电压 　　虽然图1电路能够工作在72V瞬态电压，但有些应用需要更高的保护。因此，如何提高OVP器件的最大输入电压是一件有意义的事情。图2所示电路增加了一个 电阻 和齐纳 二极管 ，用来对IN的电压进行箝位。如果增加一个 三极管 缓冲器 （图3），就可以降低对并联 稳压器 电流的需求，但也提高了设计成本。 
图2. 增大最大输入电压的过压保护电路 
图3. 通过三极管缓冲器增大输入电压的过压保护电路 　　 齐纳二极管 的选择，要求避免在正常工作时消耗过多的功率，并可承受高于输入电压最大值的电压。此外，齐纳二极管的击穿电压必须小于OVP的最大工作电压（72V），击穿时齐纳二极管电流最大。 　　串联电阻（R3）既要足够大，以限制过压时齐纳二极管的功耗，又要足够小，在最小输入电压时能够维持OVP器件正常工作。 　　图2中电阻R3的阻值根据以下数据计算：齐纳二极管D1的击穿电压为54V；过压时峰值为150V，齐纳二极管的功率小于3W。根据这些数据要求，齐纳二极管流过的最大电流为： 3W/54V = 56mA 　　根据这个电流，R3的下限为： （150V - 54V）/56mA = 1.7kΩ 　　R3的峰值功耗为： （56mA）² × 1.7kΩ = 5.3W 　　如果选择比5.3W对应电阻更小的阻值，则会在电阻和齐纳二极管上引起相当大的功率消耗。 　　为了计算电阻R3的上限，必须了解供电电压的最小值。保证MAX6495正常工作的最小输入电压为5.5V。例如，假设供电电压的最小值为6V，正常工作时R3的最大压降为500mV。由于MAX6495的工作电流为150& mICro ;A （最大），相应电阻的最大值为： 500mV/150uA = 3.3k Ω 　　图2中的R3设置为2kΩ，可以保证供电电压略小于6V时OVP器件仍可以正常工作。 　　注意，发生过压故障时，R3和D1 （图2）需要耗散相当大的功率。如果过压条件持续时间较长（如：几十毫秒以上），图3所示电路或许更能胜任应用的要求。图中射极跟随器通过降低从R3与D1节点抽取的电流大大增加R3所允许的最大值。以β值为100的三极管为例，此时150?A的器件工作电流变成1.5uA。这种情况下，不能忽略5uA的二极管反向漏电流。R3为10kΩ，因此，由于漏电流在R3上产生的压降会达到50mV。 　　在IN和GND间使用一个1uF （最小值）的 陶瓷 电容 。确保器件的电压范围满足输入电压的要求，须注意 MOSFET的VDS_MAX额定值。 　 　利用输出端电容储能 　　发生过压时，典型应用电路能够对输出电容自动放电，以保护下游电路（图4），有些应用需要利用输出电容储存能量，并且能够在瞬间高压的条件下继续维持下游电路的供电，利用图5电路可以达到这一目的。 
图4. 典型的限压电路提供输出电容放电通道 　　MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398通过内部100mA的 电流源 （见图4）连接到G ATE输出，以对栅极电容和输出电容放电。电流源先对GA TE放电（电流I1，绿色箭头），直到GATE的电压等于OUTFB电压，然后断开FET，电流源继续降低GATE电压，最后，直到内部的箝位二极管变为正向偏置，对输出电容放电（电流I2，红色箭头）。 
图5. 带有输出电容储能功能的过压限制电路 　　如果OUTFB没有连接，则断开了通过箝位二极管放电的通路，不再对输出电容放电。然而，MOSFET的栅极就不再有保护箝位二极管，VGS_MAX有可能超出额定值。 　　在MOSFET源极和栅极之间增加一个外部箝位二极管（图5中的D1）可重新建立输出端与100mA 恒流源 之间的通路。在栅极和GATE引脚之间增加一个串联电阻（图5中的R3），将会限制输出电容的放电电流，降低电流。限制放电电流的同时会增加电路的断开时间，也降低了电路对瞬态过压的响应速度。在串联电阻两端并联一个电容（图5中的C4）可以减轻对响应时间的影响，还可以选择使用电阻R4，避免OUTFB浮空。 　　如果将SET外部的分压电阻连接到输出端，而不是输入端（参考上述电路图），使MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398工作在限幅模式，发生过压时，电路会定期地对输出电容进行充电。电容电压跌落到过压门限的滞回电压以下时，MOSFET导通，对电容充电；当电容电压达到过压门限时，MOSFET断开。 　　图6给出了MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398工作在过压监控模式的电路。输入电压经过电阻分压后连接到SET引脚，当输入过压时，断开MOSFET，并将一直维持断开状态，直到解除输入过压故障。 
图6. 过压监测模式下的过压比较配置