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碳化硅MOS国产实现电压650V-1200V-1700V-3300V-6500V，电流1A-150A 。碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点,正广泛应用于新能源汽车，光伏逆变器，储能电源，轨道交通、牵引变频器，航空航天，大功率特种电源等领域。碳化硅MOS管-全碳SiC模块产品应用、驱动、系统方案详解2024.pdf

一：高耐压：碳化硅具有较高的击穿电场，因此 碳化硅 mosfet 具有较高的耐压能力，适用于高电压应用场景。

二：大电流密度：碳化硅具有较大的电子迁移率，使得 碳化硅 mosfet 具有较大的电流密度，能够承受更大的电流。

三：高工作频率：碳化硅具有较低的载流子迁移率，使得 碳化硅 mosfet具有较高的工作频率，适用于高频率应用场景。
四：良好的热稳定性：碳化硅具有较高的热导率，使得碳化硅 mosfet 在高温环境下仍具有较好的性能表现。