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SiC是在热、化学、机械方面都非常稳定的化合物半导体，对于功率元器件来说的重要参数都非常优异。作为元件，具有优于Si半导体的低阻值，可以高速工作，高温工作，能够大幅度削减从电力传输到实际设备的各种功率转换过程中的能量损耗。

SiC半导体的功率元器件SiC-SBD（肖特基势垒二极管）和SiC-MOSFET已量产出货，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模块也实现量产。此时，第二代元器件也已量产，发展速度很快。

SiC功率元器件在节能和小型化方面非常有效。