EEPW论坛

MOSFET驱动电路的影响主要体现在以下几个方面，以下将结合参考文章中的信息，以清晰、分点的方式进行归纳和总结：

1. 开关性能：

• 驱动电路的好坏直接影响MOSFET的开关性能。好的驱动电路应能提供足够大的充电电流使栅源电压上升到需要值，保证开关管快速开通且不存在上升沿的高频震荡。

• 同时，驱动电路在关断瞬间能提供一个低阻抗通路供MOSFET栅源间电压快速泻放，保证开关管能快速关断。

2. 导通损耗：

• MOS管导通后存在导通电阻，电流在电阻上消耗能量，产生导通损耗。选择导通电阻小的MOS管可以减小导通损耗。

• 导通和截止过程不是瞬间完成的，这段时间内电压和电流的乘积称为开关损失，通常开关损失比导通损失大得多，且开关频率越快，损失也越大。

3. EMI（电磁干扰）：

• 快速的开关速度虽然可以提高效率，但也可能导致更高的EMI。当MOSFET在高频下快速切换时，它会产生电磁噪声，可能干扰其他电子设备或系统。

• 优化驱动电路对于ACDC电源、电脑适配器等，可以提高EMI性能。

4. 驱动电阻的影响：

• 驱动电阻增大，驱动上升变慢，开关过程延长，对EMI有好处，但开关损耗会增大。

• 因此，选择合适的驱动电阻非常重要。

5. 驱动电路结构：

• 驱动电路的结构对性能也有重要影响。例如，不隔离互补驱动电路简单，但抗干扰性较差；隔离驱动电路如正激驱动电路和有隔离变压器互补驱动电路，具有电气隔离作用，但可能消耗较大或输出电压幅值随占空比变化而变化。

6. 驱动电压：

• NMOS在Vgs大于一定值时导通，PMOS在Vgs小于一定值时导通。因此，驱动电路需要提供足够的电压来确保MOSFET可靠地导通或关断。

7. 稳定性：

• 驱动电路应保证MOSFET栅源间电压在导通期间保持稳定，避免受到干扰产生误导通。

驱动电路的影响主要表现在辐射段30~100MHz，使用慢开快关的原则，常用的

驱动电路有如下图 电路的驱动信号的高低电平只有一个路径，开和关的信号通过同一个电阻R1，此驱动电路最简单，但该电路局限性太大，一般用于信号开关相关的回路或者驱动电阻较小的功率回路。

图 所示的电路驱动开的路径经过 R1，关的路径通过 VD1回到芯片，工程中这种用法比较常见，关断速度还可以接受，一般用在中小功率段比较多。

最基本的驱动电路、加快关断速度的驱动电路：

图 所示的电路驱动开的路径经过R1，关的路径通过 VD1和R2回到芯片工程中这种用法也比较常见，开关速度可以更灵活的调节，一般用在中小功率段比较多。

图 所示的电路驱动开的路径经过 R1和 VD1，关的路径经过 Q,，使用 VD1的目的是保证 MOSFET关断的线路只能通过O,来完成，R2是保证Q,的正常开通。此线路在关的时候不依靠芯片本身的拉电流能力，所以在大功率器件使用的时候，能很好地保证 MOSFET的关断，提高了驱动电路的可靠性。各种功率段都可使用，线路灵活可靠。

加快关断速度，且限制关断电流尖峰的驱动电路、大电流抽流驱动电路：

其他还有许多变种，但无非都是在关断时间，以及关断时的电流尖峰抑制上做文章，当然，由于芯片驱动引脚输出到真正的MOSFET之间加了一级驱动电路，所以也要保证驱动电路的加入不会改变芯片原始的输出特性，如输出幅度、输出频率和占空比等。