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110纳米表现超预期,Spansion闪存产能可望翻倍

菜鸟
2005-11-18 04:40:00    评分
Spansion公司宣布,在其位于美国奥斯丁的Fab 25 “百万级工厂(MegaFab)”批量生产的110纳米浮门技术产品在该工厂的总产量中已经超过50%。Spansion公司预计,到今年年中时,该工厂生产的几乎所有产品都将采用110纳米技术。Spansion的第二个百万级工厂―位于日本Aizu-Wakamatsu的JV3工厂―预计将于2004年下半年开始采用110纳米技术。 “Fab 25工厂的110纳米浮门生产线已经产生了远远超出预期的产量,并且接近了成熟技术在全力生产时的产量”,Fab 25工厂的副总裁Randy Blair表示,“由于产量出众且投入生产的速度远快于预期,我们将能加速实现Spansion闪存生产能力翻倍。” 今年三月,Spansion公司宣布开始批量生产110纳米的浮门产品,据称它标志着整个行业在商用NOR闪存生产方面首次突破130纳米瓶颈。 Spansion公司是在2003年,由AMD和日本富士通公司的闪存部门合并而成,AMD和富士通目前在全球提供Spansion闪存解决方案。Spansion闪存产品的应用领域包括无线设备、移动电话、汽车、网络、电信及消费电子产品等。 Spansion闪存产品系列包括采用MirrorBit技术的闪存、可同时进行读写操作(SRW)的闪存系列、1.8伏的超低电压闪存产品、以及脉冲串与分页模式芯片。



关键词: 纳米     表现     预期     Spansion     闪存     产能         

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