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NEC开发出基于铪高k电介质栅极堆叠结构的晶体管
NEC和NEC Electronics公司宣布开发出新款栅层叠(gate stack)结构晶体管产品。这种结构采用了一种基于铪(Hf)的高介电率(high-k)材料和金属栅极,能够明显抑制栅极电流的泄漏,并提高晶体管的工作速率。
该产品以硅镍化合物取代了传统中的多晶硅(poly-Si)作为高k栅极材料,在保持栅极低泄漏的条件下,将电流可操作性提高了20%。与多晶硅高k栅极和多晶硅/二氧化硅栅极相比,其栅极泄漏分别为前两者的1%和1/100,000。
此外,由于这种合成控制硅化镍栅极电极技术的开发成功,以及与基于Hf的高介电率材料的组合,通过改变硅化镍的合金材料的成份,即可实现宽泛的阈值电压(Vth)。该项技术还有利于优化PMOS和NMOS晶体管的开关特性。
这种新型晶体管还具有阈下电流、载流子迁移和栅极漏流低等特点。
关键词: 开发出 基于 铪高 电介质 栅极 堆叠 结构 晶体
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