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Our Nand Flash is K9F1208U0M-YCB0 ,48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch),64M x 8 Bit NAND Flash Memory.

FEATURES
• Voltage Supply : 2.7V~3.6V
• Organization
- Memory Cell Array : (64M + 2,048K)bit x 8bit
- Data Register : (512 + 16)bit x8bit multipled by four planes
• Automatic Program and Erase
- Page Program : (512 + 16)Byte
- Block Erase : (16K + 512)Byte
• 528-Byte Page Read Operation
- Random Access : 12μs(Max.)
- Serial Page Access : 50ns(Min.)
• Fast Write Cycle Time
- Program time : 200μs(Typ.)
- Block Erase Time : 2ms(Typ.)
• Command/Address/Data Multiplexed I/O Port
• Hardware Data Protection
- Program/Erase Lockout During Power Transitions
• Reliable CMOS Floating-Gate Technology
- Endurance : 100K Program/Erase Cycles
- Data Retention : 10 Years
• Command Register Operation
• Intelligent Copy-Back Operation
• Package :
- K9F1208U0M-YCB0, 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch)
• Simultaneous Four Page/Block Program/Erase

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目前我使用JTAG烧录程序，烧录速度慢的要命，50KB的数据要用2分钟才能烧写完。

以前我使用过PLCC封装形式的Flash，固化程序使用的是专门的编程器。

市场上应该有针对TSOPＩ 封装的ＮＡＮＤFLASH 的编程器吧，不过我没有找到。

三星、东芝等公司大量使用ＴＳＯＰ封装形式的芯片，不知道这些公司怎样往芯片里固化程序呢 ？

　ＭＹ　EMAIL：micro_arm@yahoo.com.cn