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DSP,flash,EMIF 请教为了使DSP能够写flash,如何配置EMIF和地址...
问各位大虾:
小弟用的是C6711,现在想向flash里写chip erase的命令,flash用的是字模式,由于DSP的地址线是从EA2-E-A20,而flash的地址线是A0--A18,A0对应着EA2,flash所在的CE1空间的起始地址是0x90000000,
1.按照手册所说,应该向555和2AA里写东西就行了,那么在程序里555和2AA的地址是不是应该是0x90000000+555*4和0x90000000+2AA*4呢?
2.我需要设置EMIF的控制寄存器吗?按照默认的设置直接进行写操作可以吗?
3.文章上说C6711的EMIF会自动根据存储器的宽度进行拆包,比如我现在用的flash是16位的,DSP就会把32位的数据分两次输出?
4.DSP写到flash的chip erase命令是6个周期的,是不是DSP在发这6个控制数据时,每次要间隔一些时间?
跪求各位大虾的指点!!
答 1:基于DSP的flash接口设计请大虾指点啊!答 2:比较麻烦,单纯通过打字来沟通,比较烦。你还需要说明如下问题:
1、你的地址译码如何做的?
2、你的flash的信号wr, rd, cs, ul/uh(如果有的话)怎么连接的?
3、你用的什么flash芯片?
4、的数据线怎么连接到flash的?
等等。
DSP向flash写数据,没有太大难度,但是比较麻烦。
史修栋
答 3:可提供通过JTAG口对FLASH进行烧写的源程序特点: TMS320C6711 高性能32-位浮点DSP,工作主频高达150MHz,处理性能可达900MFLOPS。
片上存储器:
4K-Byte L1P Program Cache
4K-Byte L2 Data Cache
64K-Byte L2 Memory
SDRAM: 设计最大容量为8M×32-位,基本配置为2M×32-位
Flash: 设计最大容量为512K×16-位,基本配置为256K×16-位
UART: 2路MCBSP 多通道缓冲串口
HPI: 16位HPI接口
EPLD: Altera 7000AE可编程逻辑器件
性能: 主处理器:TMS320C6711,工作主频高达150MHz,处理能力可达900MFLOPS
SDRAM: 2M×32-位,工作时钟100MHz
Flash: 256K×16-位,70ns(20年数据保存,100,000次擦写)
EPLD: Altera 7000AE可编程逻辑器件
电源监控:板载+5V、+3.3V和+1.8V电源监控
总线:32-位数据总线,用户可寻址空间CE2,CE3
拔码开关:4位用户拔码开关,供用户设置
LED指示:电源指示、复位指示、4位用户程序状态指示
串口:2通道同步串口
HPI:16位HPI接口
JTAG: 板载JTAG接口
启动模式:16位FLASH启动
工作温度: -10~+55℃
机械尺寸: 67.6mm×70mm,大小和名片差不多
应用:
高性能DSP嵌入式应用
高性能的音频处理系统
高性能数据处理
TMS32C6000系统评估和论证
如果哪位朋友要用浮点DSP做项目或课题,使用该板子可以节省不少开支,加快产品上市时间,可提供通过JTAG口对FLASH进行烧写的源程序,并提供相关的技术支持,提供外围电路设计参考。
答 4:背面贴图答 5:按照flash的时序读写就可以了吧。答 6:flash说明1.(书上说的)c6000的EMIF口会自动进行移位调整,这保证了在对窄存储器存储操作时提供正确的地址.对16bitROM,地址自动左移一位,移出的高位地址将被舍弃.
EA(DSP的外部地址引脚) 22 21 20 ................. 4 3 2
字长
*32 22 21 20 ................. 4 3 2
*16 21 20 19 ................. 3 2 1
*8 20 19 18 ................. 2 1 0
根据我的flash,我把EMIF口的CE1CTL和GBLCTL设置成16 bit 模式,CE1空间的起始地址是0x90000000,
2.flash的WE,OE,CE,RY线分别与DSP的WE,OE,CE1,通用IO口(MCBSP口可设置成IO口)相连;
3.我用的flash是AM29LV800B;
4.Flash的16跟数据线与DSP的低16位数据线相连;
调试中碰到的问题:
1.根据flash手册说明,应该往555和2AA里写命令,那根据我前面说的硬件设计,我在DSP程序中对应的地址是0x90000AAA和0x90000554吗?(c6000里对地址还要进行移位调整)
2.我的调试程序就是往flash里写chip erase命令,在程序里先设置EMIF口寄存器,然后就是往0x90000AAA和0x90000554里写命令,写完后DSP进入死循环,等待一段时间,从ccs里用view memory看0x90000000里的数据发现不是全1;答 7:告诉我你的EMAIL请告诉我你的EMAIL,源代码发给你。
史修栋
答 8:to:史修栋yexinfeng450@163.com
xfye@pcn.xidian.edu.cn
太谢谢你了!!,
答 9:能共享吗?说说解决方法。TO:史修栋 || yexinfen4g !!
史修栋不就是版主吗。大家一起学学啦!!
小弟用的是C6711,现在想向flash里写chip erase的命令,flash用的是字模式,由于DSP的地址线是从EA2-E-A20,而flash的地址线是A0--A18,A0对应着EA2,flash所在的CE1空间的起始地址是0x90000000,
1.按照手册所说,应该向555和2AA里写东西就行了,那么在程序里555和2AA的地址是不是应该是0x90000000+555*4和0x90000000+2AA*4呢?
2.我需要设置EMIF的控制寄存器吗?按照默认的设置直接进行写操作可以吗?
3.文章上说C6711的EMIF会自动根据存储器的宽度进行拆包,比如我现在用的flash是16位的,DSP就会把32位的数据分两次输出?
4.DSP写到flash的chip erase命令是6个周期的,是不是DSP在发这6个控制数据时,每次要间隔一些时间?
跪求各位大虾的指点!!
答 1:基于DSP的flash接口设计请大虾指点啊!答 2:比较麻烦,单纯通过打字来沟通,比较烦。你还需要说明如下问题:
1、你的地址译码如何做的?
2、你的flash的信号wr, rd, cs, ul/uh(如果有的话)怎么连接的?
3、你用的什么flash芯片?
4、的数据线怎么连接到flash的?
等等。
DSP向flash写数据,没有太大难度,但是比较麻烦。
史修栋
答 3:可提供通过JTAG口对FLASH进行烧写的源程序特点: TMS320C6711 高性能32-位浮点DSP,工作主频高达150MHz,处理性能可达900MFLOPS。
片上存储器:
4K-Byte L1P Program Cache
4K-Byte L2 Data Cache
64K-Byte L2 Memory
SDRAM: 设计最大容量为8M×32-位,基本配置为2M×32-位
Flash: 设计最大容量为512K×16-位,基本配置为256K×16-位
UART: 2路MCBSP 多通道缓冲串口
HPI: 16位HPI接口
EPLD: Altera 7000AE可编程逻辑器件
性能: 主处理器:TMS320C6711,工作主频高达150MHz,处理能力可达900MFLOPS
SDRAM: 2M×32-位,工作时钟100MHz
Flash: 256K×16-位,70ns(20年数据保存,100,000次擦写)
EPLD: Altera 7000AE可编程逻辑器件
电源监控:板载+5V、+3.3V和+1.8V电源监控
总线:32-位数据总线,用户可寻址空间CE2,CE3
拔码开关:4位用户拔码开关,供用户设置
LED指示:电源指示、复位指示、4位用户程序状态指示
串口:2通道同步串口
HPI:16位HPI接口
JTAG: 板载JTAG接口
启动模式:16位FLASH启动
工作温度: -10~+55℃
机械尺寸: 67.6mm×70mm,大小和名片差不多
应用:
高性能DSP嵌入式应用
高性能的音频处理系统
高性能数据处理
TMS32C6000系统评估和论证
如果哪位朋友要用浮点DSP做项目或课题,使用该板子可以节省不少开支,加快产品上市时间,可提供通过JTAG口对FLASH进行烧写的源程序,并提供相关的技术支持,提供外围电路设计参考。
答 4:背面贴图答 5:按照flash的时序读写就可以了吧。答 6:flash说明1.(书上说的)c6000的EMIF口会自动进行移位调整,这保证了在对窄存储器存储操作时提供正确的地址.对16bitROM,地址自动左移一位,移出的高位地址将被舍弃.
EA(DSP的外部地址引脚) 22 21 20 ................. 4 3 2
字长
*32 22 21 20 ................. 4 3 2
*16 21 20 19 ................. 3 2 1
*8 20 19 18 ................. 2 1 0
根据我的flash,我把EMIF口的CE1CTL和GBLCTL设置成16 bit 模式,CE1空间的起始地址是0x90000000,
2.flash的WE,OE,CE,RY线分别与DSP的WE,OE,CE1,通用IO口(MCBSP口可设置成IO口)相连;
3.我用的flash是AM29LV800B;
4.Flash的16跟数据线与DSP的低16位数据线相连;
调试中碰到的问题:
1.根据flash手册说明,应该往555和2AA里写命令,那根据我前面说的硬件设计,我在DSP程序中对应的地址是0x90000AAA和0x90000554吗?(c6000里对地址还要进行移位调整)
2.我的调试程序就是往flash里写chip erase命令,在程序里先设置EMIF口寄存器,然后就是往0x90000AAA和0x90000554里写命令,写完后DSP进入死循环,等待一段时间,从ccs里用view memory看0x90000000里的数据发现不是全1;答 7:告诉我你的EMAIL请告诉我你的EMAIL,源代码发给你。
史修栋
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