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MOS 怎样判断一个功率MOS管已经被击穿了?
问
我在使用IFR540功率MOS管做开关的时候,出现两个问题:
1 在接栅驱动电压(3.3v)和漏源电压(12v)后,IRF540导通,测漏源两极的电压有4V,但是IRF540的导通电阻只有44毫欧姆,电流为1A时也没有这么大啊?
2 在没有接栅驱动电压的时候,IRF540也是导通的,还随着漏源电压的增大,负载的电压也增大,且栅源间的电压也增大。
在IRF540的栅源两极我并联了一个10欧姆的电阻,且还在栅极接了一个47欧姆的电阻,IRF540有电荷也应该可以流走啊?不知道是不是IFR540被击穿了?大家一般是怎样焊接功率MOS管的啊?烙铁没有接地可以吗?
另外,为了防止静电,是不是一定要在功率MOS管的栅源间接一个栅保护二极管?如果要接的话,是不是要选择快关断的二极管呢?谢谢! 答 1: 栅电压3.3V不够,充分导通应更高一些如果GS间接了电阻,DS之间电阻不是非常大,则管子已坏。
答 2: 关键问题是在没有接栅驱动电压的时候,IRF540也是导通的 to maychang:
谢谢!栅源两极我并联了一个10K欧姆的电阻,在DS间测得电阻为150欧姆,MOS管应该好着吧。
另外,你说栅电压3.3V不够,充分导通应更高一些,这个我可以调节其栅电压的。关键问题是在没有接栅驱动电压的时候,IRF540也是导通的,还随着漏源电压的增大,负载的电压也增大,且栅源间的电压也增大。这个现象不明白啊。 答 3: 你用万用表测二极管的那档测G,D,S任意两个,只要响就是MOS坏了 答 4: 绝缘栅极场效应管的栅极有保留电贺的能力如果栅极带了电贺(管子极性不同,作用电贺极性也随之不同)而不释放,则场效应管可能继续导通。
判断绝缘栅极场效应管好:
1.短路G-S极,测D、S漏电电流应为关断状态。
2.给G-S极电容充电电压5-15V(具体情况具体分析),场效应管应导通。其G-S漏电电流应符合相应静态参数。
3.重复1,结果应同1。此可认为绝缘栅极场效应管为好管。
测量过程注意防止高压静电损坏绝缘栅极场效应管。
以上纯属个人观点。如有错误请纠正之。 答 5: 好! 答 6: 漏极和源极电压有没有接反?
我在使用IFR540功率MOS管做开关的时候,出现两个问题:
1 在接栅驱动电压(3.3v)和漏源电压(12v)后,IRF540导通,测漏源两极的电压有4V,但是IRF540的导通电阻只有44毫欧姆,电流为1A时也没有这么大啊?
2 在没有接栅驱动电压的时候,IRF540也是导通的,还随着漏源电压的增大,负载的电压也增大,且栅源间的电压也增大。
在IRF540的栅源两极我并联了一个10欧姆的电阻,且还在栅极接了一个47欧姆的电阻,IRF540有电荷也应该可以流走啊?不知道是不是IFR540被击穿了?大家一般是怎样焊接功率MOS管的啊?烙铁没有接地可以吗?
另外,为了防止静电,是不是一定要在功率MOS管的栅源间接一个栅保护二极管?如果要接的话,是不是要选择快关断的二极管呢?谢谢! 答 1: 栅电压3.3V不够,充分导通应更高一些如果GS间接了电阻,DS之间电阻不是非常大,则管子已坏。
答 2: 关键问题是在没有接栅驱动电压的时候,IRF540也是导通的 to maychang:
谢谢!栅源两极我并联了一个10K欧姆的电阻,在DS间测得电阻为150欧姆,MOS管应该好着吧。
另外,你说栅电压3.3V不够,充分导通应更高一些,这个我可以调节其栅电压的。关键问题是在没有接栅驱动电压的时候,IRF540也是导通的,还随着漏源电压的增大,负载的电压也增大,且栅源间的电压也增大。这个现象不明白啊。 答 3: 你用万用表测二极管的那档测G,D,S任意两个,只要响就是MOS坏了 答 4: 绝缘栅极场效应管的栅极有保留电贺的能力如果栅极带了电贺(管子极性不同,作用电贺极性也随之不同)而不释放,则场效应管可能继续导通。
判断绝缘栅极场效应管好:
1.短路G-S极,测D、S漏电电流应为关断状态。
2.给G-S极电容充电电压5-15V(具体情况具体分析),场效应管应导通。其G-S漏电电流应符合相应静态参数。
3.重复1,结果应同1。此可认为绝缘栅极场效应管为好管。
测量过程注意防止高压静电损坏绝缘栅极场效应管。
以上纯属个人观点。如有错误请纠正之。 答 5: 好! 答 6: 漏极和源极电压有没有接反?
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