eeprom分真eeprom还是假eeprom，假eeprom一般用flash工艺来模拟
flash写入前按扇区擦除，在按地址写入，所以有些地址即便用不到，也会因为在同一扇区其他地址的写入导致寿命减少。flash寿命一般几十万次擦写

eeprom读写都是按照字节方式，没有扇区的概念，所以即便有地址的空间被写废了，，一般也不会影响其他地址，这是结构决定的。eeprom一般擦写次数百万次以上。

纯eeprom芯片一般就是真eeprom工艺，，

再就是即便你一年每小时擦写一次，，也不过8700多次，，400万次都够你用400多年的，，担心多余。。

担心的话，用铁电啊！用FRAM用到设备坏都没写坏，读写寿命次数基本无限。。

我觉得有一定的影响，建议用循环写空间、地址的方式，而不是固定那些地址。

使用频率是每小时写一次。 

--- 这个频次很低啊，应该基本不用考虑寿命问题吧！

多谢楼主的分享