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       常见的ESD保护器件可以分为三类：聚合物抑制器、变阻器/抑制器以及TVS二极管。

　　聚合物抑制器

　　聚合物抑制器因具有低于0.05～1.0 pF数量级的电容，它在高频应用中似乎具有吸引力，但是，这种低电容特性也带来了一些副作用。

　　聚合体击穿的触发电平远远高于钳位电平，典型的聚合体ESD保护器件的击穿电压高达500V，击穿之后迅速回复至高达150V的钳位电平。当电荷被释放后，聚合体才恢复高阻状态，这就需要花费很长的恢复时间。

　　变阻器和抑制器

　　变阻器和抑制器是非线性可变电阻器。抑制器存在的问题在于触发电压高、钳位电压高以及电阻高，典型的低电容抑制器的钳位电压范围150～500V，动态电阻在20~40Ω之间，从而导致大部分能量能够抵达受保护器件，而不是被旁路到地。此外，变阻器和抑制器存在的最大问题是每次ESD冲击之后，器件的电特性会发生变化，包括电容参数。

　　TVS二极管（ESD保护二极管）

　　ESD保护二极管具有低的钳位电压、低电阻以及快速开启时间和更高的可靠性等特点，因此，能提供最佳的保护特性，最新的ESD保护二极管已经可以做到低于1pF的电容，因此，使之成为ESD保护的理想选择之一。浪拓公司提供针两百多款ESD保护的二极管。

       集成型ESD保护二极管既保留了传统硅TVS二极管技术的良好钳位和低泄漏性能，又将电容大幅降低至0.5pF。超低电容使ESD保护二极管适用于USB3.0高速和高清多媒体接口HDMI等高速应用。