花了一周时间积累了下逆变器知识，准备自己做一款1000W的逆变器，前级推挽准谐振，后级桥式逆变，全部用MCU控制。逆变桥功率管选型时候，参考了一些DEMO和样机，发现都是用的IGBT，很奇怪为什么不用NMOS管呢？而且用IGBT就算了，还没有负压驱动，特别是功率大了很容易导致直通烧管子？最重要是IGBT损耗肯定比MOS大啊。