1、这叫源极驱动，由下管驱动上管的源极（而不是栅极）实现上管的驱动，有两个妙处：
1.1、如果两管耐压相等，可减半电压应力，比如600V的管子带动1000V的电路
1.2、如果下管只是低压，可省去辅助绕组VCC供电电路。
2、都以低压为计算起点，因为电流最大，变压器最接近饱和，高压参数仅仅用来校核器件电压应力。

谢谢分享

Cascode(渥尔曼)拓扑，两管的米勒效应都被破坏。 

高频管耐压低，低频管耐压高，要知道，即使米勒效应被破坏了，共射级的频限依然是 fβ，共基段的则还是 fα，

这样，低频高压管罩着高频低压管，正好合理运用资源。

双栅极场效应管的功率太小了，否则可用它取代这两个管子，

另外，有一种〖600V氮化镓jFET+30V硅MOSFET〗的组合，是强电用管。