问题一:
如上图,这个电路是我从国内大厂15W的反激电源抄来的,实测MOS3栅极波形与初级线圈两端波形形状一致,去掉此mos也不影响电源正常工作,那么MOS3的作用,是啥呢?问题二:假如我需要设计一款DC100V-600V的反激变压器,那么计算匝数时,电压应该按照DC100V算,还是DC600V算,或者其他电压?论坛大神制作的电源计算软件PowerKit,我试了下,感觉软件是以DC100V为准的,那么高电压600V就不考虑了吗?
1、这叫源极驱动,由下管驱动上管的源极(而不是栅极)实现上管的驱动,有两个妙处:1.1、如果两管耐压相等,可减半电压应力,比如600V的管子带动1000V的电路1.2、如果下管只是低压,可省去辅助绕组VCC供电电路。2、都以低压为计算起点,因为电流最大,变压器最接近饱和,高压参数仅仅用来校核器件电压应力。
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Cascode(渥尔曼)拓扑,两管的米勒效应都被破坏。
高频管耐压低,低频管耐压高,要知道,即使米勒效应被破坏了,共射级的频限依然是 fβ,共基段的则还是 fα,
这样,低频高压管罩着高频低压管,正好合理运用资源。
双栅极场效应管的功率太小了,否则可用它取代这两个管子,
另外,有一种〖600V氮化镓jFET+30V硅MOSFET〗的组合,是强电用管。