一、Mask ROM存储单元构成
存储单元由高度集成化的NAND构成。（1个晶体管单元）
二、数据的写入方法
使读取单元的Word线电位为0V
使读取单元以外的Word线电位为Vcc
→ 对Bit线施加电压，
如果有电流流过，则判断为"1"
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