SiC能使用硅器件的许多著名概念和工艺技术，其中包括基本的器件设计，如垂直型肖特基二极管或垂直型功率MOSFET。因此，用于验证硅器件长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC上。但更深入的分析表明，基于SiC的器件还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试验。这是因为：

■ SiC材料本身具有的特定缺陷结构、各向异性、机械性能和热性能等

■ 更大的带隙及其对MOS器件的界面陷阱密度和动力特性的影响

■ 材料本身及器件终端在运行中高达10倍的电场强度，以及高电场强度对氧化层寿命的影响

■ 高压运行（VDS>1000V）与快速开关（> 50V/ns）相结合的新运行模式

在过去25年里开发和生产基于SiC的功率器件的过程中，英飞凌对所有这些项目进行了深入的分析。一边开发新试验用于测试基于硅的功率半导体器件所没有的不同运行模式，一边改进其他试验以考虑到SiC特有的要求。