特点
●引用Serial ATA Revision 2.6 Specification。支持 SATA Gen.1 1.5Gbps),Gen. 2 (3.0Gbps)。实现了Read 170MByte/sec,Write 70MByte/sec。
●支持2Kbyte/page ,4KByte/page 和最新8KByte/page 结构的 (MLC NAND的)。
NAND型闪存。SLC可控制128MByte至64GByte ,MLC则可控制256MByte至128GByte。 支持主要闪存销售商提供的60nm~20nm工艺闪存。
●装备了TDK独有的静态负载平衡功能。因可计算整个内存区域(区 块)的重写(擦除)次数,并均等地置换区块,能够大幅度延长
存储寿命。还可自由设置静态负载平衡的控制范围。
●搭载有数据随机生成功能。写入数据时,写入数据随机化,消除
数据模式的偏斜,从而提高了MLC闪存数据的可靠性。
●搭载有读取恢复功能。定期读取闪存中的数据,检测Bit错误,根
据需要进行纠错,防止因阅读干扰错误,数据保存错误所致的数
据消失。因在后台进行处理,即使在纠错过程中,也几乎不会产
生命令响应迟缓。
●装备了8bit ,15bit/sector (512Byte)及30bit ,44bit (1024Byte)
的纠错能力(通过识别所使用的闪存,自动选择纠错数或纠错)。
●采取TDK独有的闪存控制系统,是提高了系统电源遮断性的设计,
可完全阻止连带数据错误。
●由于可以取得所有内存区块的重写(擦除)次数作为SMART信息,
因此可进行量化的寿命评估。
●装配有数据区域扇区总数设置功能。分配给数据领域的物理块数
量可按1扇区为单元进行增减。因CHS参数也可任意设置,所以系
统导入简单易行。
●搭载有AES128bit加密功能。 因可将数据加密后进行记录,所以可以防止个人信息和机密信息
的篡改,泄漏,实现了高度的数据安全性。
●支持引用了ATA标准的保护功能。除TDK独有的写保护/读保护功
能外,客户还可自行设置或解除密码。
●RoHS指令对应。从构成部品零件材料,引导端子等到EU(欧盟)
RoHS指令所禁止使用的有害物质,被完全排除在外。
●RoHS 指令的对应:表示除了依据EU Directive 2002/95/EC 免除的用途之外,未使用铅,镉,汞,六价铬及特定溴系难燃剂PBB,PBDE 等。
cw_018_rs3.pdf
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信息家电---数码相机--闪存

闪存控制器/工业用简约闪存/工业用固态硬盘
NAND型闪存控制器GBDriver XR 系列
关键词: 信息 家电 数码相机 闪存 数据
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