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ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，优化为在同步整流buck变换器拓扑。他们是特别适合移动计算应用要求高效率和优异的热性能。这些驱动器，结合了一个内部多相BuckPWM控制器，形成完整的单级核心电压先进移动微处理器的调节器解决方案。ISL6208和ISL6208B功能相同但不同包装。本数据表中的说明基于ISL6208，也适用于ISL6208B。ISL6208具有4A的典型下沉电流大。这个电流能够保持较低的MOSFET在相结上升沿关闭。这个防止高dv/dt相电压。工作电压与30V相匹配移动设备常用mosfet的击穿电压电脑电源。
ISL6208还具有一个三态PWM输入，与Intersil的多相PWM控制器一起工作，将防止CPU关闭期间出现负电压输出。这个该特性消除了通常在一种微处理器电源系统。使用6208号岛。每个驾驶员都能驾驶3000pF负载具有8ns的传播延迟和10纳秒。Bootstrapping是用内部Schottky实现的二极管。这降低了系统成本和复杂性，同时允许使用更高性能的mosfet。适应的穿透式保护集成在一起，以防止

同时进行的mosfet。在ISL6208中集成了二极管仿真功能提高轻载条件下的转换器效率。这个该功能还允许单调启动到预偏置输出。当二极管模拟启用时，驱动程序将允许通过检测电感电流达到零，然后关闭低边MOSFET栅。
特征
同步整流桥用双MOSFET驱动器
自适应穿透保护
0.5导通电阻和4A汇极电流能力
支持高达2兆赫的高开关频率-快速输出上升和下降时间-低传播延迟
功率级关闭的三态脉冲宽度调制输入
内部自举肖特基二极管
低偏压电源电流（5V，80微安）
二极管仿真，提高轻载效率和预偏压启动应用
集成VCC POR（上电复位）功能
低三态关机延迟时间（典型160ns）
针对针与ISL6207兼容
QFN和DFN包：-符合JEDEC PUB95 MO-220QFN-四平面无引线-封装外形DFN-双平面无引线-封装外形-接近芯片规模的封装尺寸，提高了PCB的性能效率高，外形更薄无铅（符合RoHS）
应用
Intel®和AMD®mobile的核心电压电源微处理器
高频低剖面DC/DC转换器
大电流低输出电压DC/DC转换器
高输入电压DC/DC转换器
相关文献
技术简介TB363“处理和加工湿敏表面贴装器件（SMDs）“
技术简介TB389“PCB土地图案设计和MLFP封装表面安装指南”
技术简介TB447“预防指南半桥MOSFET驱动集成电路的启动-相位应力

笔记：
1.为磁带和卷盘添加“-T*”后缀。卷盘规格详见TB347。
2.卷盘规格详见TB347。
3.这些Intersil无铅塑料包装产品采用特殊的无铅材料组、模塑料/模具连接材料和100%哑光锡板加退火（e3终端光洁度，符合RoHS标准，与SnPb和无铅焊接操作兼容）。Intersil无铅产品在无铅峰值回流焊温度下分类为MSL，达到或超过IPC/JEDEC J STD-020的无铅要求。
4.有关湿度灵敏度级别（MSL），请参阅ISL6208、ISL6208B的设备信息页。有关MSL的更多信息，请参阅techbriefTB363号。

绝对最大额定值热信息
电源电压（VCC）。-0.3伏至7伏
输入电压（VFCCM，VPWM）。-0.3V至VCC+0.3V
启动电压（VBOOT-GND）。-0.3伏至33伏
启动到相电压（VBOOT-PHASE）。-0.3V至7V（直流）
-0.3V至9V（<10ns）
相电压（注5）。接地-0.3V至30V
GND-10V（<20ns脉冲宽度，10μJ）
磨损电压。V相-0.3V（直流）至VBOOT
V相-5V（<20ns脉冲宽度，10μJ）至VBOOT
LGATE电压。接地-0.3V（直流）至VCC+0.3V
接地-2.5V（<20ns脉冲宽度，5μJ）至VCC+0.3V
环境温度范围。-40°C至+125°C
热阻（典型值）θJA（℃/W）θJC（℃/W）
8 Ld SOIC封装（注6、9）。110 67个
8 Ld 3x3 QFN包装（注7、8）。80 15个
8 Ld 2x2 DFN封装（注7、8）。89 24个
最高储存温度范围。-65°C至+150°C
铅自由回流曲线。见TB493
推荐操作条件
环境温度范围。-10°C至+100°C
最大工作结温度。+125摄氏度
电源电压，VCC。5V±10%
注意：不要在列出的最大额定值下或附近长时间运行。暴露在这些条件下可能对产品产生不利影响
可靠性，导致不在保修范围内的故障。
笔记：
5.当引导销接地时，相电压能够承受-7V。
6.在自由空气中，用安装在高效热导率测试板上的部件测量JA。详见技术简报TB379。
7.θJA在自由空气中测量，部件安装在具有“直接连接”功能的高效导热测试板上。见技术简要说明TB379。
8.对于θJC，“外壳温度”位置是包装底部外露金属垫的中心。
9.对于θJC，“case temp”位置是在包的顶部中心。
电气规范推荐的操作条件，除非另有说明。黑体限制适用于整个操作温度范围。

电气规范推荐的操作条件，除非另有说明。黑体限制适用于整个操作温度范围。

笔记：
10.由特性确定的限值，不进行生产测试。
11.除非另有规定，否则具有最小和/或最大限值的参数在+25°C下进行100%测试。通过表征确定的温度限值也不是生产测试。
二相变流器的典型应用


功能管脚说明
磨牙
磨牙销是上栅极驱动输出。连接到大功率N沟道MOSFET栅极。
BOOT是上浇口的浮动引导供应管脚开关。将引导电容器连接到该引脚和相位引脚。自举电容器为打开上面的MOSFET。参见“内部自举二极管”第8页为选择合适电容器的指南价值。
脉冲宽度调制
脉宽调制信号是驱动器的控制输入。脉宽调制信号在操作过程中可以进入三种不同的状态。见“三态”有关更多详细信息，请参见第8页的“脉宽调制输入”。将此pin连接到控制器的脉宽调制输出。
地面
GND是IC的接地引脚。
LGATE是下栅极驱动输出。连接到低功耗N沟道MOSFET。
VCC将VCC引脚连接到+5V偏置电源。高品质从这个引脚旁路电容器到接地。
FCCM
FCCM引脚启用或禁用二极管仿真。FCCM低，允许二极管模拟。否则，强制连续传导模式。见“二极管模拟”更多细节见第8页。
相位
将相位管脚连接到上MOSFET的电源上，然后下部MOSFET的漏极。此pin提供返回路径上闸机开关。
说明
操作理论
ISL6208双MOSFET驱动器控制，专为速度而设计从一个外部提供的脉冲宽度调制信号。一个上升沿的脉冲宽度调制开始关闭较低的MOSFET（见“时序图”）。经过短暂的传播延迟[tPDLL]，下浇口开始下降。典型秋季[tFL]在第3页的“电气规范”中提供。自适应直通电路监测LGATE电压。当LGATE低于1V时，允许UGATE开启。这样可以防止上下mosfet同时进行，或射穿。脉宽调制上的下降过渡指示上部的关闭MOSFET和下MOSFET的开启。短路在上栅极之前遇到传播延迟[tPDLU]开始下降[tFU]。上MOSFET栅源电压为监控，上闸后允许下闸上升MOSFET栅源电压降到1V以下。下栅然后上升[tRL]，打开较低的MOSFET。此驱动程序针对具有较大降压的转换器进行了优化与上面的MOSFET相比，因为下面的MOSFET在一个转换周期中进行更长的时间。这个因此，下栅极驱动器的尺寸要大得多，以满足这一要求应用要求。0.5导通电阻和4A汇极电流能力使下栅极驱动器吸收注入下栅极的电流下MOSFET栅通漏栅电容器并防止因相位节点。
典型性能波形

二极管仿真
二极管仿真允许在轻载情况。在二极管模拟激活的情况下，ISL6208将检测输出电感和关闭LGATE。这确保了不连续的传导模式（DCM）已实现。二极管仿真与脉冲宽度调制信号。因此，ISL6208将响应FCCM在状态改变后立即输入。参考“典型性能波形”见第7页。注：Intersil不建议二极管仿真与rDS（ON）电流传感拓扑。关闭低点侧面MOSFET会引起总电流测量不准确。三态PWM输入ISL6208和其他Intersil驱动程序的一个独特功能是在脉宽调制输入端增加一个关闭窗口。如果脉冲宽度调制信号进入并保持在一组的关闭窗口内延迟时间，输出驱动器被禁用，两个MOSFET大门被拉得很低。关闭状态被删除当脉宽调制信号移到停机窗口外时。否则，在第3页的“电气规范”表确定下闸门和上闸门已启用。自适应穿透保护两种驱动程序均采用自适应穿透式保护防止上下mosfet传导同时短路输入电源。这是通过确保下降门关闭一个另一个之前的MOSFET被允许打开。在关闭较低的MOSFET时，LGATE电压为监控，直到达到1V阈值，此时乌加特被释放起来。自适应直通电路在磨蚀过程中监控上MOSFET栅源电压关掉。一旦上MOSFET栅源电压低于1V的阈值时，允许LGATE上升。内自举二极管这个驱动器具有一个内部自举肖特基二极管。只需在开机时增加一个外部电容器相位管脚完成引导电路。自举电容器必须具有最大额定电压高于最大电池电压加上5伏。启动电容器可从方程式1中选择：

其中，QGATE是全部对上MOSFET的栅极充电。VBOOT项是定义为上驱动轨道的允许下垂。举个例子，假设一个上MOSFET有栅极电荷，QGATE，在5V时为25nC，并假设驱动器中有下垂一个脉冲宽度调制周期的电压是200毫伏。人们会发现需要至少0.125μF的自举电容。下一个较大的标准值电容为0.15μF。质量良好建议使用陶瓷电容器。

功耗
封装功耗主要是所选开关频率和总门电荷莫斯费特。计算驱动器中的功耗所需的应用程序对确保安全操作至关重要。超过最大允许功率耗散水平将集成电路推到建议的最大工作压力之外连接温度为+125°C。最大允许ICSO-8组件的功耗约为800兆瓦。在将驱动程序设计为应用程序时，它是建议进行以下计算确保所选设备在所需频率下安全运行莫斯费特。驾驶员消耗的功率是近似的如等式2所示：

其中fsw是PWM信号的开关频率。似曾相识VL代表上下栅极轨电压。曲和QL是由MOSFET决定的上下栅极电荷选择和任何增加到栅极引脚的外部电容。lVCC VCC产品是驱动程序的静态电源通常可以忽略不计。

布局注意事项
异相环PCB和电源设备的寄生电感和较低的fet）可能导致相位环增加，这可能导致电压超过设备。当相位低于地面时，负电压可以通过内部自举二极管。在最坏的情况下可能会使保护套和/或相位引脚应力过大。为了防止这种情况发生这种情况时，用户应该对降低痕量电感，选择低导电感mosfet还有。D2PAK和DPAK封装mosfet具有很高的寄生铅感应，与SO-8相反。如果电感较高必须使用mosfet，建议使用肖特基二极管较低的MOSFET钳位负相环。一个好的布局将有助于减少在相位和显著的门节点：尽可能避免使用过孔分离部件，尤其是在启动到阶段的路径中。很少或根本不使用过孔对于VCC和GND也是推荐的。解耦回路应该很短。
所有电源线（UGATE、PHASE、LGATE、GND、VCC）应短而宽，避免使用过孔。如果必须使用过孔，两个或者建议每层过渡有更多通孔。
保持上部FET源尽可能接近热可能会漏到较低的场效应晶体管。
保持低场效应管源和电源接地宽而短。
输入电容器应放置在靠近上场效应管和下场效应管源可能的。
注：更多信息请参阅Intersil技术简介TB447。热管理在大电流、大电流下实现最大的热性能开关频率应用，连接QFN和DFN部件与电源接地之间有多个通孔，或在SOIC部件下面放置一个低噪声铜平面推荐。这种热扩散使零件达到全热势。