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评估板还在学习中，同时在RHOM官网发现了干货资料，分享给大家

缓冲电路的设计方法.pdf

桥式电路相关的Gate-Source电圧的动作.pdf

测试准备及说明

半桥电源

　　1）需要使用如下设备

　　①直流电源：

　　由于手上没有高电压的直流电源，只能使用一般的电源，且手上只有一个低压直流稳压源，所以这稳压电源既用于给开发板电源供电，又用于半桥母线电源。

　　②电子负载：

　　半桥电源电源的输出负载，可恒流或者恒压或者恒负载，测试电源的带载能力非常好用。

　　③信号发生器：

　　产生不同频率的可调制的方波信号，用于MOS管的驱动

　　④示波器：

　　观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形

　　⑤万用表：

　　测量各测试点的电压

　　⑥温度巡检仪：

　　测量带载后MOS管的温度

测试拓扑

　　将说明书中电路按照上述描述修改：两个直流电源换成CBB电容，在Hvdc母线上加上12V电压源。

成果展示

全局图片

由于时间匆忙，只使用DC12V母线电压，100KHz的开关频率进行测试。测试过程中没有拍摄波形图片，只是随手记录了一些测试结果，测试结果显示：

①SiC MOS管的温升很低，150W输出功率下，管子不需要散热片

②硬件死区时间设置非常好，比软件可靠

③各处波形更接近理想模型。

评估板试用感受与建议

　　感受：板子做的很精致，电路设计的也很用心，由于时间紧张没有来得及与一般MOS管做对比，但是从我测试数据以及经验来说，SiC MOS管确实比一般MOS管性能好很多，后对高要求设计中会优先采用SiC MOS管。

　　建议：罗姆的驱动隔离器件性能都不错，但是价格太高，希望未来可以降一下价。