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7N60详细参数：

型号：ASEMI场效应管7N60

漏源电压（VDSS）：600V

栅源电压（VGSS）：±30V

持续漏极电流（ID）：7A

脉冲漏极电流（IDM）：28A

雪崩电流（IAR）：7A

工作结点和存储温度范围（TJ,TSTG）：-55 to +150℃

最大功耗（PD）：155W

零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA

正向门体漏电流（IGSSF）：10uA

栅源阈值电压（VGS(th)）：4V

漏源导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω

输入电容（Ciss）：1460pF

输出电容（Coss）：236pF

开启延迟时间（td(on)）：13ns

关断延迟时间（td(off)）：26ns

总栅极电荷（Qg）：32nC

连续二极管正向电流（IS）：7A

脉冲二极管正向电流（ISM）：28A

二极管正向电压（VSD）：1.5V

反向恢复时间（trr）：648ns

反向恢复电荷（Qrr）：4.8uC

7N60特征：

低栅极电荷

低输入电容

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt功能

7N60应用领域：电源、网络、通讯、汽车电子、工业控制、医疗设备、LED照明、HID整流器、传感器、语音分离器、隔离器、RJ45、安防、电机、无线充电器、蓝牙模块、消费电子、计算机和周边产品等行业。