这是一款集成MCU，充电芯片，MOS的三合一数字控制芯片，已经有多款成熟方案，供大家借鉴和学习
参数如下：
 工作电压范围：    （GPIO）、PB[5:0]。
 PB[3:0]可选择输入时使用内建下拉电阻。
 输入有三种组态可选（TTL/CMOS/Without Schmitt）
 PB[3]内建上拉电阻及输出高推功能。
 PB[5:0]可选择上拉电阻或开漏极输出（Open-Drain）。
 所有I/O脚输出可选择小灌电流（Small Sink Current2.0V~5.5V@系统频率≤8MHz2.2V~5.5V@系统频率＞8MHz。
 工作温度：-20°C~85°C。
 高达±5KV的ESD。
 内建16阶准确的低电压侦测电路功能。
 1K×14 bits EPROM。
 48 bytes SRAM。
 6根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚） 或一般灌电流（Normal Sink Current）。
 所有I/O脚输出可选择小推电流（Small Drive Current） 或一般推电流Normal Drive Current）；除PB3外。（ 8层程序堆栈Stack）。
 （存取数据有直接或间接寻址模式。
 一组8位上数定时器（Timer0）包含可程序化的频率预 除线路。
 一组8位下数定时器（Timer0）可选重复载入或连续下 数计时。
 一个8位的脉冲宽度调变输出（PWM1）。
 一个蜂鸣器输出（BZ1）。
 38/57KHz红外线载波频率可选，同时载波的极性也可
以根据数据作选择。
 内建上电复位电路POR）。（ 内建低压复位功能LVR）。（ 内建看门狗计时（WDT），可由程序固件控制开关。
 双时钟机制，系统可以随时切换高速震荡或低速震荡。 高速震荡：I_HRC（内部1~20MHz高速RC震荡） 低速震荡：I_LRC（内部32KHz速RC震）
 四种工作模式可随系统需求调整电流消耗：正常模式 （Normal）、慢速模式（Slow mode）、待机模 式（Standby mode）与睡眠模式（Halt mode）