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当MOS管驱动能力不足时，我们会使用推挽电路来放大电流，但是MOS管明明是压控型器件，为什么要去考虑电流大小呢？

推挽工作原理：由电源IC发出占空比信号，也就是这个方波，通过电阻限流到达三极管的基极：上管是npn下管是pnp。

当信号为高电平输出到达三极管基极时，Q1导通，（npn在高电平时导通），随后MOS管导通。

当输出低电平时，上管Q1截止，Q2导通（pnp是低电平导通），随后MOS管通过电阻放电到地，最后截止。

也就是说，通过两个三极管轮流工作来进行一推一挽，来达到推挽的功能。

这里的R1的作用是用来确定开机时候的初始电位，以防开机误触发mos管，以及关机放电。

那R2呢？有没有小伙伴知道的在评论区解答一下~

通常会使用推挽电路是因为，有时一些IC或者CPU的电流比较小，不足以驱动MOS管，所以加入推挽来增加驱动能力。

那为什么MOS管是压控性器件，还需要考虑电流大小进行驱动？

这是一个IC直接驱动电路：

首先需要从IC手册中了解它最大的峰值驱动电流（不同IC芯片驱动能力不同），C1、C2决定了MOS管被驱动时 的导通速度。

当IC电流比较小时，C1 C2会比较大，这时MOS管的驱动速度会变慢，在有些电路中是不适应的。

原因很简单,这是因为MOS管的输入电容CGS和CGD这两个电容和芯片的面积有一定关系，MOS管本质上虽然是压控型器件，但栅极电位的上升与下降本质上是对CGS、CGD电容的充放电速度。

因此当MOS管驱动能力不足时，就需要利用推挽来进行放大电流了。