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芯片间接口产品和服务提供商RAMBUS最近在英特尔开发者论坛上（IDF）首次公开展示东芝公司的512M XDR DRAM。除东芝外，RAMBUS还把它的XDR 存储器接口技术授权给Elpida公司和三星公司，三星也首次在此次IDF上展示它们的XDR DRAM。据RAMBUS 表示，XDR DRAM是世界上最快的存储器件，能提供8倍于现在最好的主流存储器的带宽，达3.2GHz。 XDR DRAM 基于RAMBUS的XDR存储接口技术，其三个关键技术革新包括：差分RAMBUSA信号电平、八倍数据速率和一种能精确传输数据并简化系统设计的电路结构。XDR DRAM面向高性能高带宽应用，包括消费电子，网络系统和图形系统等对数据处理要求实时高速的应用领域。 东芝半导体公司技术总监ShozoSaito说：“通过整合我们先进的沟道电容技术和Rambus的芯片间接口技术以及高速DRAM技术，我们成功地开发了这种芯片。它可以提供无与伦比的多千兆数据，以强化消费类电子产品和图像设备的性能。为客户提供XDR DRAM将会使我们保持为市场持续提供高质量、高带宽的存储产品的能力。”三星电子存储器销售和市场副总裁Tom Quinn透露，该公司有望在2004年和2005年大量生产XDR DRAM。 RAMBUS存储接口部副总裁Laura Stark表示，很高兴看到东芝和三星推出XDR DRAM的样品，并希望他们在今年晚些时候或明年能够批量生产。