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Access Time
　Access Time（存取时间），RAM 完成一次数据存取所用的平均时间（以纳秒为单位）。存取时间等于地址设置时间加延迟时间（初始化数据请求的时间和访问准备时间）。

Address
　Address（地址），就是内存每个字节的编号。目的是按照该编号准确地到该编号的内存去存取数据

Async SRAM
　Async SRAM（异步静态内存），一种较为陈旧的SRAM，通常用来做电脑上的Level 2 Cache。

Bandwidth
　Bandwidth （带宽） 1、传输数据信息的能力。信息交换的形式多种多样，可以通过但根电线，也可以通过总线或信道的并行线。一言以蔽之，就是单位时间内数据的移动量，通常用位 / 秒、字节/秒或赫兹（周/秒）表示。 2、内存的数据带宽：一般指内存一次能处理的数据宽度，也就是一次能处理若干位的数据。30线内存条的数据带宽是8位，72线为32位，168线可达到 64位

Bank
　Bank （内存库） 在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。 1、在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。（等同于"行"/Row） 2、Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。（现在通常是4个bank）。 3、它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽。

Bank Schema
　Bank Schema（存储体规划），一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽；列代表bank数。

BEDO
　BEDO (Burst EDO RAM) -突发模式EDO随机存储器，BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。形象地说，它一次可以传输一批数据。总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比，EDO内存速度是33MHz，FPM内存的速度是25MHz)。

BGA封装技术
　BGA (Ball Grid Array)-球状引脚栅格阵列封装技术，高密度表面装配封装技术。在封装的底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。目前的主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。

BLP
　BLP-底部引出塑封技术，新一代内存芯片封装技术，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP封装规范。此类内存芯片不但高度和面积小，而且电气特性也得到了提高。

Buffer
　Buffer-缓冲区，一个用于存储速度不同步的设备或优先级不同的设备之间传输数据的区域。通过缓冲区，可以使进程之间的相互等待变少，从而使从速度慢的设备读入数据时，速度快的设备的操作进程不发生间断。

Buffered Memory
　Buffered Memory，带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。

CAS
　CAS (Column Address Strobe)-列地址选通脉冲，在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。

CAS Latency
　列地址选通脉冲时间延迟，CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。

CF卡
一种袖珍闪存卡，（compact flash card）。像pc卡那样插入数码相机，它可用适配器，（又称转接卡），使之适应标准的pc卡阅读器或其他的pc卡设备。

cf存储卡的部分结构采用强化玻璃及金属外壳，cf存储卡采用standard ata/ide接口界面，配备有专门的pcm-cia适配器（转接卡），笔记本电脑的用户可直接在pcmcia插槽上使用，使数据很容易在数码相机与电脑之间传递。

Checksum
　Checksum-检验和，校验和。在数据处理和数据通信领域中，用于校验目的的一组数据项的和。这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。

Compact Flash
　Compact Flash（紧凑式闪存），一种结构轻小的存储器，用于可拆卸的存储卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作电压低，掉电后数据不丢失。应用范围包括：数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机，以及录音设备。

C-RIMM
　Continuity RIMM (C-RIMM)-连续性总线式内存模组，一种不带内存芯片的直接总线式内存模组（Direct Rambus）。C-RIMM 为信号提供了一个连续的通道。在直接总线式内存系统中，开放的连接器必须安装C-RIMM。

CSP
　Chip-Scale Package（芯片级封装），薄芯片封装，其电路连接通常是采用BGA（球状引脚格状阵列）。这种封装形式一般用于RDRAM（总线式动态内存）和 flash memory（闪存）。

CSRAM
　同Pentium II Xeron匹配的一种高速缓存，容量为512KB。

DDP电路
　DDP(Double Detect and Protect:二重探测与保护)，它可以使Space对输入的信号不再重复处理，同时对声音的频率和方向进行探测,而且自动调整,得到最佳的效果。

DDR
　DDR（Dual Data Rate SDRSM）是最新的内存标准之一，在系统时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，因此即使在133MHz的总线频率下，带宽也能达到约2.1GB/S，为SDRAM的的两倍左右。