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　　PNP晶体管ZXTP25020CFF和ZXTP19020DFF采用标准SOT23封装的占板面积，但板外高度却低于一毫米，适用于不同类型的超薄便携式产品设计，
　　新器件有助于减少元件数及提升功率密度，可在诸如线性充电、高端负载切换电路等各种便携式应用中作为极具成本效益的转换开关使用。

　　P沟道MOSFET基于固有的漏极-源极体二极管，往往需要一个串联的肖特基二极管。　　ZXTP25020CFF可确保提供7V的反向阻断能力，省去了在线性充电器中串联的肖特基二极管。相比占板面积相似的P沟道MOSFET，可节省一半的印刷电路板面积。

　　SOT23FF封装提供的改善后的热阻可达158ºC/W，在15 x 15毫米的印刷电路板面积上提供0.8W的额定功率，从而比标准SOT23解决方案更能充分提升功率密度。在50 x 50毫米等效印刷电路板空间的应用中，其功率可增至1.96W 。

　　在高端开关、负载或隔离开关中，ZXTP19020DFF可在1A电流和20mA基极驱动下，将电压降至只有70mV的水平；或在 2A电流和40mA基极驱动下，降至160mV的水平，等同于2.5 x 3毫米的印刷电路板占板面积70mΩ 的等效电阻。