EEPW论坛

一般高速闪存模块分为两种规格，NOR Flash和NAND Flash，它们均为非易失性闪存模块。NOR又称Code Flash，有些类似于DRAM。它以存储程序代码为主，所以可以让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为512MB。而NAND闪存则更像硬盘，它以存储数据为主，故又称Data Flash。它的特点是晶片容量大，目前主流容量分为512MB、1GB、2GB等。二者最大的区别在于读写速度，NAND闪存写入与清除资料的速度远快于NOR，但是NOR闪存在读取资料的速度则快于NAND规格。NAND多应用在小型机，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中，如手机。

 

NAND闪存颗粒

    Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。随后，1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。在近20年的时间里，这两种类型的闪存技术被广泛应用到手机市场、数码相机市场以及移动存储市场。

    如今，随着科学技术的不断扩大，NOR和NAND闪存也得到了进一步提升。新版的NOR闪存接口将使用133MHz甚至更高的频率，而且它将被用于3G以及UMTS手机。而NAND由于写入速度较快，加上功耗低开始逐渐被用于PC。至此，闪存技术解决方案开始衍变为一个不断变化的多应用需要，日益多元化的需求的更有效解决办法。