MOSFET发展现状及中国市场-电子产品世界论坛

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MOSFET发展现状及中国市场

jpp

高工

2008-10-23 15:01:32 打赏

只看楼主 1楼

2007年消费电子、计算机领域中整机产量增速放缓导致市场对于MOSFET产品需求量增长率较2006年有所下降。2007年中国MOSFET市场需求量达到171.2亿个，比2007年增长19.5%。

从应用领域上看，凭借着MOSFET在消费类电源适配器、Ballast等产品中的庞大用量，消费电子领域对于MOSFET产品的需求量位列各领域之首，而MOSFET在计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品中的广泛使用使得计算机领域仅次于消费电子位于市场需求量的第二位。网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域对于MOSFET的需求量位于第三至六位。从重点应用产品来看，主板、笔记本电脑、Ballast、计算机类电源适配器中MOSFET用量都较大。

从电压级别上看，电压小于50V的MOSFET产品需求量最大，而主要用于AC/DC的600-800V需求量次之。受到CRT电视和CRT显示器产量减少的影响，200-400V产品需求量出现负增长。800V-1000V以及1000V以上的MOSFET产品主要应用在电力设备和工业控制领域中，由于其应用领域有限，市场需求量不大。

从封装结构上看，TO-220、SOT-23/TO-92/SC-70/SC-75、SO-8、DPAK是需求量位于前四位的MOSFET封装形式。其中TO-220主要应用在AC/DC中，而SOT-23/TO-92/SC-70/SC-75、SO-8由于其封装尺寸比较小，主要应用在消费电子领域以及NB等计算机整机产品中。在主板产品中则主要采用了DPAK封装形式的MOSFET产品，LFPAK则在显卡和主板中也有一定比例的应用。

随着节能高效意识的不断增强，MOSFET产品应用将更加广泛。另一方面，受到LCD TV等新型产业快速发展的带动，2008-2010年，中国MOSFET市场将继续保持快速增长态势。2008-2010年，中国MOSFET市场需求量年均复合增长率为18.5%。从各应用领域上看，2008-2010年，电力设备领域需求量年均复合增长率为26.5%，工业控制领域需求量年均复合增长率为21.4%，计算机领域需求量年均复合增长率为16.4%，汽车电子领域需求量年均复合增长率为28.6%，网络通信领域需求量年均复合增长率为8.5%，消费电子领域需求量年均复合增长率为21.7%。从电压结构上看，计算机及消费电子领域MOSFET用量的增加将推动LV MOSFET市场发展，节能、高效产品需求的增长则推动HV MOSFET市场发展，未来200V以下的低压MOSFET仍将占据市场主流地位。

图 2003-2007年中国MOSFET市场规模（数量）

数据来源：赛迪顾问 2008，04

中国MOSFET产业快速发展

庞大的市场需求以及出于降低成本等方面的考虑，中国MOSFET产业近年来得到了快速发展。但从目前发展情况来看，国内从事MOSFET产品生产的企业主要以代工厂为主，拥有自有产品的本土企业很少。

在从事MOSFET代工生产的企业中主要有华虹NEC、华润上华、上海先进、吉林麦吉柯。在这些企业中华虹NEC和先进半导体主要是用8寸线进行MOSFET产能代工服务，其客户都是AOS。进入2008年后，AOS加大了其在华虹NEC的订单数量，相反的先进半导体为AOS代工订单数量出现一定程度的下滑。华润上华则采用6寸线为飞兆半导体进行MOSFET的代工服务。而考虑到成本方面，台湾MOSFET设计企业茂达也逐步把其MOSFET生产转移到国内。目前，茂达已经在中芯国际成都厂开始了少量的投片生产，并且茂达将逐步加大订单数量。未来随着MOSFET产品价格压力的不断增加，预计将有更多的企业把代工生产放到国内。自主品牌方面，南科MOSFET产品则主要应用在比较低端的应用中，在中国MOSFET市场的占有率很低。吉林麦吉柯则采用5寸线进行MOSFET产品生产，吉林华微已有少量产品在该生产线上生产。天津中环半导体和吉林华微的6寸线还没有正式投入运营。目前来看，吉林华微的6代线进展情况良好，设备已经到位。而中环半导体受到外部供电、设备采购时间延长、净化厂房布局调整及一、二期建设计划变更等影响，项目投产时间较原先计划有所推迟。

中国MOSFET本土企业面临的机遇与挑战

本土企业发展MOSFET产品时面临着市场需求增长以及国外厂商因缺少本地化生产而面临的逐步增加的价格压力的市场机遇。

1、市场需求持续快速增长

NB、LCD TV等下游应用产品产量在未来几年的快速增长以及节能、环保意识的不断普及都将成为推动中国MOSFET市场快速发展的推动力。2008-2010年，中国MOSFET市场需求量年均复合增长率为18.5%，市场需求额年均复合增长率为16.7%，快速增长的中国MOSFET市场将为企业的发展提供发展空间。

2、缺少本地化生产，国外厂商价格压力过大

随着消费电子产品终端价格的不断下降，在消费电子产品中应用的MOSFET面临一定的价格压力。在一些应用中，MOSFET产品价格甚至已经降至几美分。但从目前情况看，绝大部分MOSFET生产企业依旧把MOSFET的生产放在国外进行，这无疑增加了产品的生产成本，导致企业在这些产品中的竞争力下降。而本土企业则可以凭借着本地化生产的优势，降低生产成本，在该目标市场中取得一定的市场份额。

在中国本土企业大力发展MOSFET产品的同时，也必须面临以下两大风险：

1、品牌知名度低，产品销售压力大

目前，MOSFET生产企业主要以欧美企业为主，Fairchild、ST、IR、Vishay这些MOSFET生产企业在市场上都占有一定的市场份额，并拥有一批固定的客户群，其客户资源稳定。这些企业经过长时间的发展，在MOSFET市场上已经具有很高的品牌知名度。而从目前发展现状看，本土企业主要以MOSFET代工服务为主，缺少具有实力的MOSFET IDM企业，本土企业在MOSFET市场上品牌知名度低。缺少品牌知名度的本土企业在未来进行产品销售的过程中，可能会面临一定的风险。

2、原材料价格坚挺，企业存在一定的成本压力

受到光伏产业快速发展的影响，近年来，全球多晶硅材料一直处于供不应求的状态，半导体用硅片价格在近年来也出现了上升趋势。另一方面，其它材料如引线框架价格在2007年中也一度出现上涨。上游材料价格的提升给企业的发展带来了一定的成本压力。预计在未来几年，全球多晶硅市场仍将处于供不应求的状态，半导体级硅片价格仍存在上涨的可能性，这将使企业面临原材料价格上涨带来的成本风险。

关键词： MOSFET 发展现状中国市场领域产品需

libei

菜鸟

2008-10-24 14:42:58 打赏

2楼

Fairchild、ST、IR、Vishay这些MOSFET生产企业很多已经在国内设有封装厂了。像IRF840PBF（原IR，现VISHAY）就有墨西哥、韩国、中国封装。。。

本公司经营电子元件，如需Fairchild、ST、IR、Vishay这些MOSFET，欢迎和我联系。

联系人：谢生
QQ:894189435
www.szlibei.com
电话：0755-8320 0302
传真：0755-6133 7747
深圳市力贝电子有限公司
MSN:libeidz@hotmail.com

jameswangsynnex

高工

2012-01-04 13:48:09 打赏

3楼

国产MOSFET 的生产基地大多数集中在哪些省份呀？

qzf51dz

菜鸟

2014-06-23 09:42:19 打赏

4楼

丘展富威兆Mos 13827482730 QQ1481000462
No.	Part ID	Polarity	BVGS [V]	VTH[V]	BVDSS [V]	ID[A] TC=25°C	RDON Max. [mohm] @ TC=25°C (A)	Package	Production Status
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1	VS2301AT	PMOS	±12	-0.5~-1.5	-20	-4.2	--	95	120	SOT-23	Full production
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5	VS3401AL	PMOS	±12	-0.5~-1.5	-30	-4.2	75	90	120	SOT23-3L	Full production
6	VS3407AT	PMOS	±20	-1~-2	-30	-4.2	75	90	120	SOT-23	Coming Soon
7	VS3407AL	PMOS	±20	-1~-2	-30	-4.2	75	90	120	SOT23-3L	Coming Soon
8	VS9435AS	PMOS	±20	-0.9~-2.0	-30	-4.9	60	90	--	SOP8	Full production
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Vanguard Semiconductor Power MOSFET Product list 2014-Feb
No.	Part ID	Polarity	BVGS [V]	VTH[V]	BVDSS [V]	ID[A] TC=25°C	RDON Max. [mohm] @ TC=25°C (A)	Package	Production Status
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6	VS3407AT	PMOS	±20	-1~-2	-30	-4.2	75	90	120	SOT-23	Coming Soon
7	VS3407AL	PMOS	±20	-1~-2	-30	-4.2	75	90	120	SOT23-3L	Coming Soon
8	VS9435AS	PMOS	±20	-0.9~-2.0	-30	-4.9	60	90	--	SOP8	Full production
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58	VS2N7002KW	Dual-NMOS	±20	1~2	60	0.2	3000	4000	7500	SOT-23	Full production

Vanguard Semiconductor Power MOSFET Product list 2014-Feb
No.	Part ID	Polarity	BVGS [V]	VTH[V]	BVDSS [V]	ID[A] TC=25°C	RDON Max. [mohm] @ TC=25°C (A)	Package	Production Status
Vgs=10V	Vgs=4.5V	Vgs=2.5V
59	VS0306AT	NMOS	±20	0.8~1.5	60	3	95	105	--	SOT-23	Full production
60	VS0306AL	NMOS	±20	1~2	60	3	95	105	--	SOT23-3L	Full production
61	VS0606AG	NMOS	±20	1~3	60	6	45	--	--	SOT223	Engineering
62	VS6015AD	PMOS	±20	1~3	60	13	85	105	--	SOT223	Engineering
63	VS6015DP	Dual-PMOS	±20	1~3	60	8	85	105
64	VS6038AD	NMOS	±20	1~3	60	25	42	--	--	TO-252	Full production
65	VS6038AI	NMOS	±20	1~3	60	25	42	--	--	TO-251	Full production
66	VS6050AT	NMOS	±20	2~4	60	50	15	--	--	TO-220AB	Full production
67	VS6050AD	NMOS	±20	2~4	60	50	15	--	--	TO-252	Full production
68	VS6070AD	NMOS	±20	2~4	60	80	8	--	--	TO-252	Full production
69	VS6080AT	NMOS	±20	2~4	60	100	7	--	--	TO-220AB	Full production
70	VS6080ATD	NMOS	±20	2~4	60	100	7	--	--	TO-263	Full production
71	VS3206AT	NMOS	±20	2~4	60	210	3.5	--	--	TO-220AB	Full production
72	VS3206ADT	NMOS	±20	2~4	60	210	3.5	--	--	TO-247	Full production
73	VS6880AT	NMOS	±20	2~4	65	83	8	--	--	TO-220AB	Full production
74	VS6888AP	NMOS	±20	2~4	65	65	8	--	--	DFN5X6	Full production
75	VS6888AT	NMOS	±20	2~4	65	90	8	--	--	TO-220AB	Full production
76	VS6888ATD	NMOS	±20	2~4	65	88	8	--	--	TO-263	Engineering
77	VS7085AT	NMOS	±25	2~4	70	90	7	--	--	TO-220AB	Full Production
78	VS7575AT	NMOS	±20	2~4	75	80	8	--	--	TO-220AB	Full production
79	VS7580AT	NMOS	±25	2~4	75	83	8	--	--	TO-220AB	Full Production
80	VS80100AT	NMOS	±20	2~4	75	100	8	--	--	TO-220AB	Full production
81	VS8066ATD	NMOS	±25	2~4	80	60	12	--	--	TO-263	Full production
82	VS8066AT	NMOS	±25	2~4	80	60	12	--	--	TO-220AB	Full production
83	VS80N08AT	NMOS	±20	2~4	80	80	11	--	--	TO-220AB	Full production
84	VS80N08ATD	NMOS	±20	2~4	80	80	11	--	--	TO-263	Full production
85	VS3808AT	NMOS	±20	2~4	80	120	8	--	--	TO-220AB	Engineering
86	VS3808ADT	NMOS	±20	2~4	80	120	8	--	--	TO-247	Engineering
87	VS150N08AT	NMOS	±25	2~4	80	150	6	--	--	TO-220AB	Full Production
88	VS150N08ATD	NMOS	±25	2~4	80	150	6	--	--	TO-263	Full Production
89	VS3207AT	NMOS	±20	2~4	80	180	4.5	--	--	TO-220AB	Full production
90	VS3207ADT	NMOS	±20	2~4	80	180	4.5	--	--	TO-247	Full production
91	VS1H06AS	NMOS	±16	1~3	100	6	95	105	--	SOP8	Full production
92	VS1H08DP	Dual-NMOS	±16	1~3	100	6	95	105	--	DFN5X6	Full production
93	VS1H15AF	NMOS	±16	1~2.5	100	15	95	105	--	TO-220F	Full production
94	VS1H15AD	NMOS	±16	1~2.5	100	15	95	105	--	TO-252	Full production
95	VS1H15AI	NMOS	±16	1~2.5	100	15	95	105	--	TO-252	Full production
96	VS1H38AD	NMOS	±25	2~4	100	40	18	--	--	TO-252	Full production
97	VS3710AT	NMOS	±25	2~4	100	59	18	--	--	TO-220AB	Full production
98	VS3710ADT	NMOS	±25	2~4	100	59	18	--	--	TO-247	Full production
99	VS3710ATD	NMOS	±25	2~4	100	59	18	--	--	TO-263	Full production
100	VS6880AT	NMOS	±25	2~4	100	80	8	--	--	TO-220AB	Full Production
101	VS4410AT	NMOS	±25	2~4	100	110	8	--	--	TO-220AB	Full Production
102	VS4110AT	NMOS	±30	2~4	100	180	5.5	--	--	TO-220AB	Full production
103	VS4110ADT	NMOS	±25	2~4	100	180	5.5	--	--	TO-247	Full production
104	VS4310AT	NMOS	±25	2~4	100	60A~1	7	--	--	TO-220AB	Full production
105	VS80N15AT	NMOS	±20	2~4	150	80	19	--	--	TO-220AB	Full production
106	VS640AT	NMOS	±20	2~4	200	18	180	--	--	TO-220AB	Full production
107	VS38N20AT	NMOS	±30	2~4	200	38	45	--	--	TO-220AB	Full production
108	VS740AT	NMOS	±30	2~4	400	10	420	--	--	TO-220AB	Full production
109	VS740AF	NMOS	±30	2~4	400	10	420	--	--	TO-220F	Full production
110	VS503AT	N-Depletion	±30	-3.0~--1.5	500	0.003	--	--	--	SOT-23	Engineering
111	VS506AT	N-Depletion	±30	-3.0~--1.5	500	0.006	--	--	--	SOT-23	Engineering
112	VS830AD	NMOS	±30	2~4	500	4.5	1500	--	--	TO-252	Full production
113	VS830AI	NMOS	±30	2~4	500	4.5	1500	--	--	TO-251	Full production
114	VS830AT	NMOS	±30	2~4	500	4.5	1500	--	--	TO-220AB	Full production
115	VS830AF	NMOS	±30	2~4	500	4.5	1500	--	--	TO-220F	Full production
116	VS603AT	N-Depletion	±30	-3.0~--1.5	600	0.003	--	--	--	SOT-23	Engineering
117	VS606AT	N-Depletion	±30	-3.0~--1.5	600	0.006	--	--	--	SOT-23	Engineering

Vanguard Semiconductor Power MOSFET Product list 2014-Feb
No.	Part ID	Polarity	BVGS [V]	VTH[V]	BVDSS [V]	ID[A] TC=25°C	RDON Max. [mohm] @ TC=25°C (A)	Package	Production Status
Vgs=10V	Vgs=4.5V	Vgs=2.5V
118	VS1N60AJ	NMOS	±30	2~4	600	1.2	8000	--	--	TO-92	Full production
119	VS1N60AG	NMOS	±30	2~4	600	2.2	8000	--	--	SOT-223	Full production
120	VS2N60AT	NMOS	±30	2~4	600	2	4500	--	--	TO-220AB	Full production
121	VS2N60AF	NMOS	±30	2~4	600	2	4500	--	--	TO-220F	Engineering
122	VS2N60AI	NMOS	±30	2~4	600	2	4500	--	--	TO-251	Engineering
123	VS2N60AD	NMOS	±30	2~4	600	2	4500	--	--	TO-252	Full production
124	VS4N60AT	NMOS	±30	2~4	600	4	2400	--	--	TO-220AB	Full production
125	VS4N60AF	NMOS	±30	2~4	600	4	2400	--	--	TO-220F	Full production
126	VS4N60AI	NMOS	±30	2~4	600	4	2400	--	--	TO-251	Full production
127	VS4N60AD	NMOS	±30	2~4	600	4	2400	--	--	TO-252	Full production
128	VS4N60BF	NMOS	±30	2~4	600	4	2200	--	--	TO-220F	Engineering
129	VS5N60AF	NMOS	±30	2~4	600	4	2200	--	--	TO-220F	Engineering
130	VS8N60AT	NMOS	±30	2~4	600	7.5	1300	--	--	TO-220AB	Engineering
131	VS8N60AF	NMOS	±30	2~4	600	7.5	1300	--	--	TO-220F	Engineering
132	VS10N60AT	NMOS	±30	2~4	600	10	780	--	--	TO-220AB	Engineering
133	VS10N60AF	NMOS	±30	2~4	600	10	780	--	--	TO-220F	Engineering
134	VS12N60AT	NMOS	±30	2~4	600	12	650	--	--	TO-220AB	Engineering
135	VS12N60AF	NMOS	±30	2~4	600	12	650	--	--	TO-220F	Engineering
136	VSJ20N60AT	NMOS	±30	2~4	600	20	220	--	--	TO-220AB	Full production

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