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初级参数 | |||||||
输入 | 计算结果 | ||||||
输入电压(V) | Vacmin | 90.00 | 输入电压(V) | Vdcmin | 99.00 | ||
Vacmax | 260.00 | Vdcmax | 351.00 | ||||
电源功率(W) | Pout | 1.50 | 反射电压(V) | Vf | 99.00 | ||
预设效率(%) | η | 0.70 | 周期 μs | T | 18.80 | ||
工作频率(KHz) | f | 53.20 | 最大导通时间( μs) | t | 9.40 | ||
MOS耐压(V) | Vmosmax | 600.00 | 最大占空比 | Dmax | 0.50 | ||
连续模式输入 断续模式输入 | 0.50 | 1.00 | 输入功率(W) | Pin | 2.14 | ||
1.00 | 初级电流 | Ip | 0.09 | ||||
最大电感量(mH) | Lp | 10.75 | |||||
磁芯预选: | 初级次级匝数比 | n | 22.00 | ||||
磁芯型号 | ee13 | 磁芯气隙(cm) | lg | 0.01 | |||
磁芯截面(cm2) | Ae | 17.20 | 初级匝数(Turn) | Np | 270.48 | ||
磁感应强度(T) | Bw | 0.20 | 初级线径(mm) | Dp | 0.17 | ||
次级参数: | |||||||
输出电压(V) | Vout | 4.50 | 次级匝数(Turn) | Ns | 12.29 | ||
输出电流(A) | Iout | 0.30 | 次级线径(mm) | Ds | 0.32 | ||
辅助电压(V) | Va | 18.00 | 辅助匝数(Turn) | Na | 49.18 | ||
辅助电流(A) | Ia | 0.08 | 辅助线径(mm) | Da | 0.17 | ||
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