技术
技术架构是基于垂直DMOS硅栅工艺，使通道
长度为1.5微米;采用结隔离技术，它有可能在同一芯片上混合
双极和CMOS晶体管ALO.。图1显示了如何
进程带来了一个电源IC的复杂性比传统的双极技术的迅速增加。在
上世纪70年代B级电路和直流电路允许输出功率在70W范围。
CD00003796.pdf
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