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如果输入端加入过高的电压，静电计、皮安计和SMU就可能损坏。大多数仪器都有最大允许输入电压的技术指标。在某些应用中，不可避免地会超过这个最大的电压。这类应用可能包括电容器的漏电流、二极管反向漏电、电缆或薄膜的绝缘电阻等。如果元件或材料发生击穿，全部电压都会加到安培计的输入端，从而可能将其损坏。在这种情况下，就需要附加的过载保护功能以避免损坏仪器的输入电路。

静电计或皮安计的过载保护

图2-24示出静电计或皮安计的过载保护电路，其中包括一个电阻器和两个二极管（1N3595）。即使在1mV的正向偏置之下，1N3595的漏电流一般会小于1皮安，此电路不会影响10pA或更大电流的测量。此二极管能够承受225mA的额定电流（重复浪涌450mA）。由于静电计、安培计或皮安计的输入端压降小于1mV，这两个二极管不会导通。由于两个二极管反向并联，所以此电路能够对任何极性的信号进行保护。

电阻器（R）必须足够大，以限制流过二极管的电流，使之不会损坏二极管。此电阻器又必须足够大，以承受电源电压。比较好的经验法则是在最大被测电流下，使得该电阻器上的电压降为1V。

由于二极管具有光敏特性，所以保护电路应当装在闭光的屏蔽盒中。屏蔽盒则应连到安培计的低端。

SMU的过载保护（在加电压、测电流模式下）

图2-25说明工作在安培计模式下的SMU的过载保护电路。此保护电路由连在保护端和LO端（或公共端）之间的两个齐纳二极管（D3 和D4）、与HI端相串联的限流电阻器（R）以及在HI端和保护端之间的两个低漏电的二极管（D1和D2）组成 .

用两个齐纳二极管在保护端与LO端（或公共端）之间进行钳位。其额定电压应当比SMU的最大可测量电压略高一些。由于流过齐纳二极管的泄漏电流会在电阻器上产生电压降，所以希望使用低漏电的齐纳二极管。

电阻器（R）用来限制流过二极管（D1和D2）的电流。其电阻值应当足够大，将流过二极管的电流限制在其正向额定电流的十分之一，以免二极管损坏。该电阻器还应当有足够高的额定功率，以满足齐纳管导通时的功率耗散要求。

如果发生过载，二极管（D1和D2）之一导通，避免电路的输入端损坏。二极管1N3595是完成此功能的很好的选择对象，因为其漏电流很低，即使在正向偏置电压为1mV时，漏电流典型值也小于1pA。

必须使用诸如聚四氟乙烯支架等高阻抗结构。保护电路应当装入一个闭光的金属屏蔽盒，而该屏蔽盒则连到SMU的LO端。