中颖专注于单片机(MCU)产品集成电路设计。MCU母体包括4-bit OTP/MASK MCU、8-bit OTP/MASK MCU、8-bit FLASH MCU,主要应用于各种小家电、白色家电、黑色家电、汽车电子周边、运动器材、医疗保健、四表(水、电、气、暖) 、仪器仪表、安防、电源控制、马达控制、工业控制、变频、数码电机、计算机键盘、鼠标、网络音乐(便携式、车载、床头音响)、无线儿童监控器、无线耳机/喇叭/门铃等,同时,在扩大家电及计算机数码产品的基础上,又扩充了OLED、电池管理等绿色能源系列产品。
一、锂电池管理与保护:
1.锂电池管理单片机-SH79F329
SH79F329是一种高速高效率8051兼容单片机。在同样振荡频率下,较之传统的8051芯片它具有运行更快速,性能更优越的特性。
SH79F329保留了标准8051芯片的大部分特性,包括内置256字节RAM和2个8位定时器和外置中断INT1、INT2。此外, SH79F329还集成了1024字节RAM。 SH79F329单片机还包括适合于程序和数据的32K字节Flash。
SH79F329不仅集成SMBus标准通讯模块,还集成了2个16位Σ-Δ模数转换器模块(ADC)和内部通讯模块(SCI)。为了达到高可靠性和低功耗,SH79F329集成了看门狗定时器,具有低电压复位功能,提供了2种低功耗省电模式。
SH79F329集成了高压模拟前端(AFE),包括1个AFE中断,1个电源稳压器,3个可用于MOSFET控制的高压输出端口,3个模拟比较器,4路电压差分输入转换和4路内部导通电路。
特性:
▲基于8051兼容流水指令的8位单片机
▲Flash ROM:32K字节
▲RAM:内部256字节,外部1024字节
▲工作电压:
VVPACK/VBAT = 4.5V - 25V
▲振荡器:
- 内部RC振荡器:64KHz
- 倍频到1MHz,2MHz,4MHz,8MHz
▲13个CMOS双向I/O引脚
▲I/O内建上拉电阻
▲2个开漏结构I/O引脚
▲2个8位定时器T0,T1
▲中断源:
- 定时器0,定时器1
- 外部中断INT1-2
- CADC,VADC,SMBus,SCI,AFE
▲SMBus接口(主/从模式)
▲2个16位Σ-Δ模数转换器(ADC)
- CADC:1路差分输入
- VADC:2路单端输入
▲内建低电压复位功能
LVR电压:2.3V(VDD)
▲CPU机器周期:1个振荡周期
▲看门狗定时器(WDT)(代码选项)
▲内建振荡器预热计数器
▲高压模拟前端
- 内建3V,25mA电源稳压器(LDO)
- 3个高压输出端口- 可设置阈值和延迟时间的模拟比较器
- VC1-VC5之间最大40mA的导通电路
▲低功耗工作模式:
- 空闲模式
- 掉电模式
▲Flash型
▲封装:TQFP 48/TSSOP 38
2.锂电池电量监控单片机-SH366000
SH366000是中颖电子股份有限公司推出的一颗智能电池管理芯片,其通讯协议兼容SMBus1.1,符合智能电池指令集SBData1.1规范;适用于2~4节锂离子及锂聚合物电池组;能够准确计算出电池组的满充容量、剩余容量,以及电池的可运行时间和充电完成所需时间;提供电压、电流、温度监控功能,提供软硬件保护;提供电池平衡功能,延长电池寿命。
特性:
▲实现2-,3-,4-串锂电池的充放电管理及安全保护
▲兼容SMBus v1.1和SBData1.1规范
▲库仑积分法和开路电压法相结合,确定电池剩余容量
▲根据当前温度和电流,结合内嵌模型动态计算放电截止电压
▲具有自学习功能,通过一次完整的充放电过程即可获取实际最大容量
▲提供过载及短路保护,实现过压/低压/过温/低温时电池组的保护
▲提供二级安全保护
▲提供电池平衡功能,延长电池使用寿命
▲支持4-,5-LED输出,显示绝对或相对剩余电量百分比
▲低功耗系统设计
▲封装:TQFP 48/TSSOP 38
3.锂电池保护单片机-SH367003
SH367003是一颗3节/4节锂电池串联的保护IC.其提供高精度过充电电压保护,过放电电压保护和放电过电流保护. SH367003集成了可调节的过充电保护延时电路,过放电保护延时电路和放电过电流1的延时电路.SH367003适用于宽温度,宽电压应用领域.而且还特别为铁锂电池应用提供了低电压模式.
特性:
▲通过SEL端口实现3节串联/4节串联应用切换.
▲各节电池高精度电压检测功能:
-高电压模式(适用于普通锂电池/聚合物电池/锂离子电池等):
-过充检测电压: 3.9V to 4.4 V
(每一档位50mV) 精度: ±25mV
-过充解除电压: 3.8V to 4.4V
精度: ±50mV
-过放电检测电压: 2.0V to 3.0V
(每一档位100mV) 精度: ±80mV
-过放电解除电压: 2.0V to 3.4V
精度: ±100mV
-低电压模式(适用于铁锂电池等):
-过充检测电压: 3.4V to 3.9 V
(每一档位50mV) 精度: ±25mV
-过充解除电压: 3.3V to 3.9V
精度: ±50mV
-过放电检测电压: 1.8V to 2.8V
(每一档位100mV) 精度: ±80mV
-过放电解除电压: 1.8V to 3.2V
精度: ±100mV
▲3档放电过流检测功能:
-放电过电流保护 1: 0.05V to 0.3V
(每一档位50mV) 精度: ±25mV
-放电过电流保护 2: 0.5V
精度: ±100mV
-放电过电流保护 3: VC1-1.2V
精度: ±300mV
▲通过外接电容预设过充电检测延时时间,过放电检测延时时间,放电过电流保护1延时时间.
▲放电过电流保护2和放电过电流保护3延时时间内部固定.
▲通过CTL端口控制充放电.
▲宽工作电压范围: 3V to 24V
▲宽工作温度范围: -40°C to 85°C
▲低功耗:
-工作模式: 16μA (典型值).
-休眠模式: 1.5μA(典型值).
▲封装形式:
16-pin TSSOP
二、节能(ES) MCU-载波通信
SH99F01是一颗高集成度的电力线载波通信SOC,内部集成了高速增强型8051兼容单片机和高性能电力线载波通信模块(Powerline Transceiver简称PLT)。
SH99F01内建PLT模块设计为全集成电力线载波通信引擎,内建模拟前端电路和调制解调电路,外围电路简洁,支持高性能的扩频载波通信技术和窄带调制通信技术,支持过零传输,并首创了载波双模通信技术,结合先进的前向纠错编解码算法,能够最大程度提高载波物理层通信能力,适应各种低压电力线信道环境。
SH99F01具有标准8051芯片的大部分特性。这些特性包括内置256字节RAM和2个16位定时器/计数器,1个UART和外置中断INT0和INT1。此外,SH99F01还集成了512字节RAM,10位ADC,可兼容8052芯片的16位定时器/计数器(Timer2)和适合存储程序和数据的16K字节Flash,同时,芯片内部还提供2K字节类EEPROM用于存放数据。
为了达到高可靠性和低功耗,SH99F01内建了看门狗定时器,低电压复位电路,并提供了2种低功耗省电模式。
SH99F01面向低压电力线载波应用,但也支持其它信道的低速控制应用,其主要应用领域包括:
▲载波集抄(AMR)
▲路灯远程监控
▲智能家居控制
▲安防监控
▲Power Meter
▲内建电力线载波通信模块(PLT)
- 集成模拟前端电路(AFE)
- 63位扩频调制
- 窄带BPSK调制
- 首创载波双模通信技术
- 集成前向纠错编解码
- 载波频率可调:9KHz - 500KHz
- 接收双通道分时复用
- 支持128个码分信道
- 支持过零传输
- 接收信号强度指示(RSSI)
- 高精度DAC输出正弦波
- 灵敏度高达100uVp-p
- 满足各种频谱规范:FCC,CENELEC
- BOM成本低
▲基于8051指令流水线结构的8位单片机
- CPU机器周期:1个振荡周期
- 3个16位定时器/计数器:T0,T1和T2
- 中断源:定时器0,1,2,外部中断0,1,EUART,ADC,载波通信(PLT)
- 增强型UART
- 16个CMOS双向I/O管脚
- I/O内建上拉电阻
▲Flash ROM:16K字节
▲类EEPROM:2K字节
▲RAM:内部256字节,外部512字节
▲看门狗定时器(WDT)(代码选项)
▲低电压复位(LVR)(代码选项)
▲4通道10位模数转换器(ADC),内建比较功能
▲低功耗工作模式:
- 空闲模式
- 掉电模式
▲工作电压:
VDD = 3.0V - 5.5V
▲振荡器:
- 晶体谐振器:8MHz - 16MHz
▲封装:28引脚TSSOP封装
三、双核(DSP和MCU)-工业控制
SH99F100是一款双核(DSP和MCU)芯片,适用于工业控制场合,如电机调速、变频电源等。MCU可以用来处理开关量、输入输出以及通讯,而DSP只需专注于控制算法的运算。
DSP的架构由三个并行的计算单元(ALU,MAC,SHIFTER)、两个独立的地址发生器(DAG)和一个强大的程序序列发生器(PSQ)组成。计算单元提供了所有处理器能够提供的计算功能,包括单周期乘/累加,位操作,移位操作等。双数据地址发生器使得处理器能够在一个周期内从两个数据存储区(Data Memory和Program Memory)同时取出两个数据。程序序列发生器实现了所有指令的单周期操作,快速的中断响应以及嵌套的非CPU干预的循环。16位的PWM模块、正交编码接口(QEI)与14位的流水线型ADC与运算放大器(OP)作为DSP核的内部外设,能够方便地实现多种工业控制算法。
MCU核是一种高速高效率8051兼容核,在同样的振荡频率下,较之传统的8051芯片具有运行更快速,性能更优越的特性,其资源有内置256字节SRAM,外部3840字节SRAM,3个16位定时器和3个外部中断,同时还集成了2个增强型UART,1个SPI接口。
双核结构:16位增强型DSP+8位MCU
DSP及其外设:
▲CPU
- 最大100MIPS,16位宽度数据总线
- 单周期同步执行16位MAC和存取操作
- 32级桶形移位器
- 单周期执行“取双操作数”和“取指令”
▲片上存储器
- 64K X 8bits Flash作为DSP的非易失性存储器
- 16K X 24bits SRAM作为DSP运行程序的Code Memory
- 6K X 16bits SRAM作为DSP的Data Memory
- 512 X 16bits SRAM作为通讯数据存储器(位于DM区)
- 2K X 16bits SRAM作为DSP的Program Memory(位于PM区)
▲脉冲宽度调制(PWM)模块
- 6路(3对)16位PWM输出
- 3种时基计数模式:单事件模式、边沿对齐模式与中心对齐模式
- 每对PWM提供2种输出模式:互补输出和独立输出
- PWM输出有效极性选择
- 死区产生逻辑
- 自动更新周期、占空比、输出极性以及ADC触发时刻
- 5个保护输入引脚
- 每个保护输入引脚上的Debounce时间可设置为八档(0ms - 16ms)
- 后分频系数
▲正交编码器接口(QEI)
- QEA,QEB,Index三路信号输入
- 16位增/减双向位置计数器
- 5种可屏蔽中断:计数器重载/Index信号中断;Index信号发生错误中断;QEA/B输入信号相位错误中断;测速定时器溢出中断;测速定时器捕捉中断
▲2 X 8通道14位模数转换器(ADC)
- 10MSPS转换速率
- 两路同步并行采样模式、两路独立顺序采样模式与单序列顺序采样模式
▲4个16位定时器DTimer0/1/2/3
▲3个外部中断DXINT0/1/2
▲1个JTAG接口实现DSP的仿真调试
▲4个输入捕捉功能引脚
- 使用DTimer2/3之一作为时基
- 2级FIFO缓冲器
- 捕捉事件可设置为上升沿、下降沿、上升/下降沿
- 输入分频/滤波设置
▲3路输出比较引脚
- 使用DTimer3/2之一作为时基
- 单次比较模式、双比较模式、边沿对齐PWM输出模式
▲2个运算放大器
MCU及其外设:
▲CPU
- 基于8051指令流水线结构的8位单片机
- 最大工作频率16MHz,CISC指令集
▲片上存储器
- 64KBytes Flash
- 4KBytes SRAM
- 1K X 8bits Flash作为ISP程序存储器
▲56个CMOS双向I/O管脚(功能复用),内建输入上拉电阻
▲SPI接口(主/从模式)
▲2个增强型UART
▲3个16位定时器Timer0/1/2
▲3个外部中断INT0/1/2
▲8通道10位逐次逼近型模数转换器(ADC)
▲3路12位脉冲宽度调制(PWM)输出
1个JTAG接口实现MCU的仿真调试
其它:
▲工作电压:VDD = 2.7 - 5.5V
▲停振检测
- 外部晶振失效后切换至内部RC作为系统频率并产生中断
▲ISP功能
▲看门狗定时器(WDT)
▲低电压复位LVR
▲封装:LQFP100
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