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做电源的面试问题若干（来自我测试一下） 1.一般情况下，同功率的开关电源与线性电源相比，_____。

A, 体积大，效率高 B，体积小，效率低 C, 体积不变，效率低 D, 体积小，效率高
2.大功率开关电源常用变换拓扑结构形式是_____。

A, 反激式 B, 正激式 C, 自激式 D, 他激式
3.一般来说，提高开关电源的频率，则电源_____。

A, 同体积时，增大功率 B, 功率减小，体积也减小 C, 功率增大， 体积也增大 D, 效率提高， 体积增大
4.肖特基管和快恢复管常作为开关电源的____。

A, 输入整流管 B, 输出整流管 C, 电压瞬变抑制管 D, 信号检波管
5.肖特基管与快恢复管相比，____。

A, 耐压高 B, 反向恢复时间长 C, 正向压降大 D, 耐压低， 正向压降小
6.GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，那些是开关电源中变压器常用的驱动元件？____。

A, GTO和GTR B, TRIAC 和IGBT C, MOSFET和IGBT D，SCR和MOSFET
7.开关电源变压器的损耗主要包括：____。

A, 磁滞损耗、铜阻损耗、涡流损耗 B, 磁滞损耗、铜阻损耗、介电损耗 

C, 铜阻损耗、涡流损耗、介电损耗 D, 磁滞损耗、涡流损耗、介电损耗
8.开关电源变压器的初级漏感测量方法是___。

A, 次级开路，测初级电感 B, 初级开路，测次级电感C, 次级短路，测初级电感

D, 初级短路，测次级电感
9.开关电源变压器的激磁电感测量方法是___。

A, 次级开路，测初级电感 B, 初级开路，测次级电感C, 次级短路，测初级电感

D, 初级短路，测次级电感
10.变压器初次级间加屏蔽层的目的是_____。

A, 减小初次间分布电感引起的干扰 B, 减小初次间分布电容引起的干扰

C, 提高效率 D, 增大绝缘能力
11.减小开关驱动管的损耗主要途经是_____。

A, 选用低导通电阻的驱动管 B, 提高驱动管的驱动信号的边沿陡度

C, 提高开关频率 D, A和B及减小开关频率
12.已知功率管的管芯至管壳的热阻为1.2℃/W,管壳至散热器的热阻为2.0℃/W, 散热器至自由空气的热阻为10℃/W,环境温度为70℃，如功率管的损耗为6W，工作半小时后，管芯温度大约为___。
A, 149.2℃ B 79.2℃ C, 70℃ D, 102℃
13.220VAC输入的电源，输入对外壳、输入对输出的工频耐压试验值一般是_____。
A,500V、1000V B, 1500V、2500V C, 2500V,1500V D,1000V,1500V
14.电容的损耗包括漏电损耗和介电损耗，其中介电损耗是主要损耗，损耗角____。
A, 越大，损耗越小 B,越小，损耗越小 C,是消耗有功功率与视在功率之比 D, 是无功功功率与视在功率之比
15.电感饱和是指_____。
A, 通过的磁通随电流变化而变化 B, 电抗不变 C, 电抗减小 D,电抗增大
16.电感、磁环、磁珠的应用区别主要是____。
A, 电感用于滤波、磁环套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、磁珠用于信号线抗射频干扰
B, 电感用于滤波、磁珠套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、磁环用于信号线抗射频干扰
C, 磁环用于滤波、磁珠套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、电感用于信号线抗射频干扰
D, 磁珠用于滤波、磁环套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、电感用于信号线抗射频干扰
17.真空放电管、压敏电阻、TVS管分别用于____瞬时过压保护。
A, 电子元器件、电子设备、电气设备 B,电子设备、电气设备、电子元器件
C, 电气设备、电子元器件、电子设备 D,电气设备、电子设备、电子元器件
18.EMS测试中，IEC61000标准中浪涌电压、电快速脉冲的脉宽/边沿要求是___。
A, 50µS/5µS 50nS/5nS B, 50µS/5nS 50nS/5nS
C, 100µS/1µS 100nS/10nS D, 5µS/5nS 100nS/10Ns
19.220VAC电源输入滤波器共模阻抗与差模阻抗相比, _____.
A, 共模阻抗与差模阻抗基本相同 B, 共模阻抗小于差模阻抗
C, 共模阻抗大于差模阻抗 D, 共模阻抗等于差模阻抗的平方
20.模拟电路地与数字电路地一点共地的目的是___.

A, 减小数字电路地线电流 B, 减小模拟电路受到的辐射干绕
C, 增大模拟电路与数字电路的共地阻抗 D, 减小模拟电路与数字电路的共地阻抗
21.分布式电压闭环开关电源并联运行, 每台电源在电压给定值不变的情况下,电压—电流静态特性应为____.
A, 硬特性(即恒压特性) B, 降特性(即随电流增大电压下降)
C, 升特性(即随电流增大电压增大) D, 无要求
22.PID调节方式中,I和D的作用分别是____.
A, 消除静态误差和提高动态性能 B,提高动态性能和消除静态误差
C, 减小调节时间和消除静态误差 D, 减小超调量和消除静态误差
23.一运算放大器的开环增益为80DB, 如不考虑其他误差因素,要求用该放大器一级放大某信号, 误差小于0.5%, 则闭环放大增益K应____.
A, K >=100 B, K>=50 C, 50<=K<=100 D, K<=50
24.开关电源中反馈用的传输光耦,对其CTR值要求是____.
A, 越大越好 B, 越小越好 C, 有一定的范围 D, 无所谓
25.如果是NRZ编码,当通讯波特率较高且距离较远时, 总线两端需要接端接电阻,该电阻取值依据为___.
A, 按总线驱动器的直流负载能力取 B, 按干扰噪声程度取
C, 取该波特率(频率)对应的通信电缆的波阻抗值 D, 取该波特率对应通信电缆的分布电容的容抗值
1.普通二极管和电力电子用的二极管在结构上有什么区别？提示：psn结构，s层的作用是什么？可以从杂质掺杂浓度来分析。
2.在现代开关器件中，经常可以看到punch through技术的应用。请介绍一下这种技术的原理和它的优点（相比起没有使用此技术的器件）。
3.IGBT有“电导调制”的特点，应此igbt在大电流，较低频率的应用场合较MOSFET更有优势。何谓电导调制？
4.thyristor和gto结构上大同小异，但后者却能够实现主动关断。请介绍一下生产工艺上的差异。
5.在大电流应用场合，有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并联，哪些不可以？原因是什么？
6.在常用的dcdc converter中，如buck converter 或boost converter，二极管的反相恢复时间对能量损耗的影响很大。为改善损耗，请给出两种方法。提示：新器件及拓扑结构。
7.正激与反激的根本区别 有那些？