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1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。

2.集电极电阻 越大越容易饱和;

3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制

扩展阅读：三极管的开关特性

基极电流达到多少时三极管饱和?

这个值应该是不固定的，它和电源电压,集电极负载、β值,基极电阻,

基极信号大小有关.

另外一个应该注意的问题就是：在Ic增大的时候，hFE会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib〉〉Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限，当然这是以牺牲关断速度为代价的。

饱和时Vb>Vc，但Vb>Vc不一定饱和

一般判断饱和的直接依据还是防大倍数，有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数

例如：有的管子将Ic/Ib10定义为饱和

Ic/Ib1应该属于深饱和了

用三极管可以考虑以下几天：

1)耐压够不够

2)负载电流够不够大

3)速度够不够快(有时却是要慢速)

4)B极控制电流够不够

5)有时可能考虑功率问题

6)有时要考虑漏电流问题(能否“完全”截止)。

7)增益

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