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还是纠结与以下几个问题，理解不了了，（可能有些问题比较简单，但我确实理解不了）求何老师耐心指点

 1、有资料讲到寄生二极管是不可消除的，同时寄生二极管（如图）也决定了MOS管作为开关器件时的输入输出级，即N-MOS必须是漏极D输入，源极S输出，P-MOS则必须是源极S输入，漏极D输出。因此何老师图中的两个场管是有不妥的。

2、何老师手画的那个小图和上一弹中的相似，是用的增强型MOS。在这一张图里面则是选的耗尽型MOS。对于耗尽型，其栅极电压为零时，场管是导通的，N-MOS（V2）是在其栅极施加一个负电压（小于其关断电压Up）使场管关断，P-MOS(V1)则是在其栅极施加一个正电压（大于其关断电压Up）使其关断。所以应该是V2场管先于V1场管导通吧。

3、如图中红色所示电流，不是应该经过L2、R4后直接流回“地”了吗？老师为什么画图说电流经过L2、R4后又经过R2注入到V1的栅极了呢？

4、R3可不可以接到图中虚箭头所指的位置，就像右边V2的栅极电路那样？

耗尽型和增强型的MOS应该是这样，上面我画错了不好意思

我是要反省一下了，竟然没注意这个，太大失误了，谢谢你。同学，我也是学生，我们一起学习。

增强和耗尽型的MOS最大的区别就是导通条件不同，P沟道与N沟道就是导通方向不同，

这个电路图的原理我再重新绘画下，别误人子弟了，第十弹还需要画那个电流流向图吗

谢谢您的回复，呵呵 ，那个图暂时不用画了，我应该能琢磨出来一些