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负阻振荡器

利用具有负阻特性的隧道二极管，可以构成负阻振荡器。隧道二极管的符号、伏安特性和负阻区的等效电路见图5.3-32。

伏安特性图中，A点为峰点，UP为峰点电压约为几十毫伏，IP为峰点电流约为几毫安；B点为谷点，峰、谷电流比约为5~6。等效电路中，RND为特性曲线上IP、IV两拐点间动态电阻的最小值，CD为结电容，LS和RS分别为引线电感和等效串联电阻，它们的曲线数值一般是：CD=20PF，LS=1~5UF，RS=2~5欧。

隧道二极管负阻振荡器实用电路见图5.3-33A，其中R1、R2为分压电阻，C1为高频旁路电容，LC是决定振荡频率的回路元件，R为负载电阻（包括回路本身的损耗电阻）。

当忽略引线电感LS和等效电阻RS时，真交流等效电路见图5.3-33B。因此振荡器的起振条件为

隧道二极管负阻振荡器的特点是可以产生极高的振荡频率（可达几千MHZ以上）。其优点是噪声低，对温度变化、核辐射不敏感，电路简单，体积小和成本低。其主要缺点是输出功率和电压都较低，振荡不够瞧稳定。

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