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单结晶体管的结构

晶闸管的触发电路有很多，其中比较常见的有单结晶体管触发电路。单结晶体管又称双基极二极管，有一个发射极和两个基极[2]。它是在一块高掺杂的N型硅基片一侧的两端各引出一个接触电阻很小的极，分别称为第一基极B1 和第二基极B2。而在硅片的另一侧靠近B2处，掺入P型杂质，形成PN 结，引出电极，称为发射极。因为N 型硅基片的杂质少，所以两基极之间的电阻（体电阻）较高。值得注意的是RB1 的阻值会随发射极电流Ie 的变化而改变，具有可变电阻的特性。发射极与两个基极之间的PN 结用一个等效二极管D 表示。图3 是它的结构、符号和等效电路。

图3 单结晶体管示意图

当发射极电流为零时，外加电压UBB 在RB1 和RB2 之间按一定比例分压，A 点和B1 之间的电压为

其中浊成为单结晶体管的分压系数（又称分压比），它与管子内部结构有关，通常在0.3~0.9之间。图4是其伏安特性图。

图4 单结晶体管伏安特性图