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基本的BJT反相器的动态性能

　　BJT开关速度受到限制的原因主要是由于BJT基区内存储电荷的影响，电荷的存入和消散需要一定的时间。
　　考虑到负载电容C_L的影响后基本反相器将成为如下图所示的电路
。图中C_L包含了门电路之间的接线电容以及门电路的输入电容。

　　当反相器输出电压v_O由低向高过渡时 ，电路由V_CC通过R_c对C_L充电。
　　当v_O由高向低过渡时，C_L又将通过BJT放电。
　　这样，C_L的充、放电过程均需经历一定的时间，这必然会增加输出电压v_O波形的上升时间和下降时间。特别是C_L充电回路的时间常数R_cC_L较大时，v_O上升较慢，即增加了上升时间。
　　基于器件内部和负载电容的影响 ，导致基本BJT反相器的开关速度不高。
　　寻求更为实用的TTL电路结构，是下面所要讨论的问题。