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我来聊聊模电学习的两个重点

凡是学电的，总是避不开模电。

上学时老师教的知识，毕业时统统还给老师。毕业后又要从事产品设计，《模电》拿起又放下了n次，躲不开啊。毕业多年后，回头望，聊聊模电的学习，但愿对学弟学妹有点帮助。

通观整本书，不外是，晶体管放大电路、场管放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大器、波形及变换、功放电路、直流电源等。然而其中的重点，应该是场管和运放。何也？

按理说，场管不是教材的重点，但目前实际中应用最广，远远超过双极型晶体管（BJT）。场效应管，包括最常见的MOSFET，在电源、照明、开关、充电等等领域随处可见。

运放在今天的应用，也是如火如荼。比较器、ADC、DAC、电源、仪表、等等离不开运放。

1、场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道和P沟道两种器件。有结型场管和绝缘栅型场管IGFET之分。IGFET又称金属-氧化物-半导体管MOSFET。MOS场效应管有增强型EMOS和耗尽型DMOS两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。

学习时，可将MOSFET和BJT比较，就很容易掌握，功率MOSFET是一种高输入阻抗、电压控制型器件，BJT则是一种低阻抗、电流控制型器件。再比较二者的驱动电路，功率MOSFET的驱动电路相对简单。BJT可能需要多达20%的额定集电极电流以保证饱和度，而MOSFET需要的驱动电流则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动。其次，MOSFET的开关速度比较迅速，MOSFET是一种多数载流子器件，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应。其三，MOSFET没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外，MOSFET具有并行工作能力，具有正的电阻温度系数。温度较高的器件往往把电流导向其它MOSFET，允许并行电路配置。而且，MOSFET的漏极和源极之间形成的寄生二极管可以充当箝位二极管，在电感性负载开关中特别有用。

场管有两种工作模式，即开关模式或线性模式。所谓开关模式，就是器件充当一个简单的开关，在开与关两个状态之间切换。线性工作模式是指器件工作在某个特性曲线中的线性部分，但也未必如此。此处的“线性”是指MOSFET保持连续性的工作状态，此时漏电流是所施加在栅极和源极之间电压的函数。它的线性工作模式与开关工作模式之间的区别是，在开关电路中，MOSFET的漏电流是由外部元件确定的，而在线性电路设计中却并非如此。


2、运放所传递和处理的信号，包括直流信号、交流信号，以及交、直流叠加在一起的合成信号。而且该信号是按“比例（有符号+或-，如：同相比例或反相比例）”进行的。不一定全是“放大”，某些场合也可能是衰减（如：比例系数或传递函数K=Vo/Vi=-1/10）。

运放直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入失调电流温漂、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。

交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。

个人认为，选择运放，可以只侧重考虑三个参数：输入偏置电流、供电电源和单位增益带宽。