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针对形成干扰的三要素,采取的抗干扰主要有以下手段，这些方法适用于电路中的元器件。 

抑制干扰源 
抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt, di/dt。这是抗干扰设计中最优先考虑和最重要的原则,常常会起到事半功倍的效果。 减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。减小干扰源的di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。 
抑制干扰源的常用措施如下： 
（1）继电器线圈增加续流二极管,消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加续流二极管会使继电器的断开时间滞后,增加稳压二极管后继电器在单位时间内可动作更多的次数。 
（2）在继电器接点两端并接火花抑制电路（一般是RC串联电路,电阻一般选几K到几十K,电容选0.01uF）,减小电火花影响。
（3）给电机加滤波电路,注意电容、电感引线要尽量短。 
（4）电路板上每个IC要并接一个0.01μF～0.1 μF高频电容,以减小IC对电源的影响。注意高频电容的布线,连线应靠近电源端并尽量粗短,否则,等于增大了电容的等效串联电阻,会影响滤波效果。 
（5）布线时避免90度折线,减少高频噪声发射。 
（6）可控硅两端并接RC抑制电路,减小可控硅产生的噪声（这个噪声严重时可能会把可控硅击穿的）。