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用水流来学习三极管。。或许不太准确哦

我对三极管是来自datasheet：
三极管ib和ic成β倍，ic增大，β减小。、
至于为了解释三极管为什么是这样，引入了新的概念，电场呀，多子，少子，空穴呀。
为了解释这些，又要定义多子，少子，空穴，
这样循环搞下去，不是个事。
所以，教科书的解释只是某篇论文的假说。
为什么是假说呢，因为三极管的模型和mos管的模型，还在更新。表示三极管和mos管有些东西还没搞清楚。

回楼上：

我们大部分电子工程师，是面向工程应用的，只要知道如何使用三极管，如何计算，已经足够了。
我们又不是物理学家，又不是研究微电子的，何必对内部机制了解的很清楚呢？
合理定位自己很重要，人生苦短，要学的东西很多，不能样样精通。

模电的东西

你知道如何应用就行了 没必要弄懂原理

       如果楼主是学习、研究半导体物理或半导体理论的，我支持楼主的钻研，这个话题确实拦住过许多人；如果楼主不是学习、研究半导体物理或半导体理论的，我则支持5、6、7楼的意见，因为工程应用方面需要学习、研究的内容太多了，等到把这个理论问题弄清楚了，可能会耽误楼主的许多机会和耗费许多的精力。

       现在的知识量，真的是如同连锁反应的爆炸样，每时每刻都在发生着巨大的变化，迫切需要我们不断努力地学习新知识，以较少的时间学习掌握较多的知识，才能较快的前行。

       再次说说我的观点：楼主的学习、钻研精神可嘉，给楼主点赞。

这个问题远远上升不到半导体物理方面的深奥理论，所有的知识任何一本涉及电子电路的书一定会讲到。想不通上面这么多层楼都说没必要搞懂原理，原理真不难。

首先从PN结反向特性说起，PN结是通过在半导体材料中掺杂一些杂质制造出来的，P区多数载流子是空穴，少数载流子是电子；N区多数载流子是电子，少数载流子是空穴。PN区成对存在，完全对等，使空穴和电子数目完全相同，达到电中性。

给半导体材料加上反向电压后，电场方向和PN结形成的内电场方向相同，使得PN结变厚，阻碍多数载流子的流动，但是少数载流子流动的方向恰好和电源电场方向相同，电源实际上是在促进少数载流子流动的。反向偏置时形成极其微弱的漂移电流，并且这个电流不随反向电压的增大而变化，称为“反向饱和电流”（reverse saturation current）。这是因为反向电流是由少数载流子跨PN结形成的，因此其“饱和”值取决于少数载流子的掺杂密度。

上面是PN结的伏安特性曲线，有没有想过漏电流Is为什么这么小，而且反向电压增加（击穿前），漏电流基本不变？因为少数载流子就这么多！只能形成这么小的电流。那么，怎样才能提高Is的大小？方法很简单，注入载流子即可。对于P区，注入的就是电子；对于N区，注入的就是空穴，空穴没有办法注入怎么办？电子流出就可以了。

三极管发射区浓度远高于集电区，集电区面积远大于发射区。当三极管工作在放大区时，集电结反偏，发射结正偏。对于集电极来说，电流来源于少数载流子，从PN结反向特性图可以看出，IC与Vc没有关系。由于是少数载流子导电，因此集电结反偏时一样可以导电。

Ib和Ic之间的比例关系如何理解？对于NPN管的CE接法，实际上是向基极（P）注入了电子（少数载流子），注入少子相当于增厚了耗尽层的厚度，而促进了少子的流动，其促进的比例，就是β了。这个比例应当仅仅与耗尽层本身的特性有关，因此β这个参数，仅仅由三极管的制造工艺决定。实际的β，应该等于（IC-ICBO）/（IB+ICBO）。

下图是三极管工作于放大区的I-V曲线图，看看像不像反偏的PN结I-V曲线绕圆心转了180°？

这个学习了