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【推荐】双脉冲测量解决方案

    现在在越来越多的功率器件测量中比如场效应晶体管(MOSFET)和绝缘门双极晶体管(IGBT)，这些功率器件提供了快速开关速度，能够耐受没有规律的电压峰值， 被广泛应用于电源转换产品的设计。尤其最新第三代半导体SiC和GaN快速发展和应用可以毫不夸张的说给电源行业带来颠覆性的变化。对于设计工程师来说却带来了非常大的测试挑战，如何保证选用的高速功率器件能稳定可靠的运行在自己的电源产品中，我们需要了解功率器件的动态特性：

1、器件在不同温度的特性

2、短路特性和短路关断

3、栅极驱动特性

4、关断时过电压特性

5、二极管回复特性

6、开关损耗测试等

那么面对这些特性我们如何进行有效测量——测试平台搭建

泰克推出了IGBT Town功率器件支持单脉冲，双脉冲及多脉冲测试方案，集成强大的发生装置，数据测试装置及软件。用户可以自定义测试条件，测试项目包含：Toff, td(off), tf(Ic),Eoff, Ton, td(on),tr(Ic), Eon, di/dt, dv/dt, Err, qrr, Irr based on IEC60747.

测试系统图

AFG31000产生双脉冲驱动信号。

ISOvU光隔离探头准确测试Vgs和Vds电压信号。

MSO5示波器运行IGBT town 软件进行设定和自动测试。

测试说明

采用双脉冲法，用信号发生器设置脉宽为1uS,周期为2.5uS,脉冲次数为2次，示波器采用单次触发。

采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN™的动态参数。左下的测试提示Ic off是因为英飞凌的CoolGaN™完全没有反向恢复电流，从测试数据中可以看到基于英飞凌的CoolGaN™专用驱动1EDF5673K下的CoolGaN™ IGO60R070D1速度还是非常快的，而且完全没有反向恢复损耗。

方案配置

推荐解决方案：MSO54+ 5-wins+5-PWR+TIVM02+ TIVH08+TCP0030A+IGBT town软件。

方案特点

1、可靠、可重复地测试IGBT及MOSFET（包括第三代半导体器件SiC、GaN）功率半导体动态特征。

2、测量的特征包括开启、关闭、开关切换、反向恢复、栅极驱动，开关损耗等参数。

3、适用于用户对测试环境的自定义。

4、全部使用泰克示波器及原厂电源探头，可准确补偿探头的延迟，专用的开关损耗算法，提供可靠的测试结果。

5、独特的ISOvU 探头，最高800MHz带宽高达120dB共模抑制比，准确测试驱动信号的真实情况。

安泰测试为广大客户提供配置方案、产品支持、技术服务。有任何问题都可咨询安泰测试。